半導體製造技術第章矽與晶圓準備.pptVIP

晶圓標示平面 P型 (111) P型 (100) N型 (111) N型 (100) 圖 4.21 晶圓缺口和「雷射」切割 1234567890 缺口 切割的識別數字 圖 4.22 內部直徑晶圓鋸 內部直徑鋸 圖 4.23 拋光後的晶圓邊緣 圖 4.24 晶圓的化學蝕刻 圖 4.25 雙面晶圓的拋光 上面拋光墊 下面拋光墊 晶圓 研漿 圖 4.26 品質測量 物理性尺寸 平坦度 粗糙度 含氧量 晶體缺陷 微粒 本體電阻值 改進矽晶圓的規格 Adapted from K. M. Kim, “Bigger and Better CZ Silicon Crystals,” Solid State Technology (November 1996), p. 71. A：平坦度定義為晶圓或是晶圓上某一區域之線性厚度差異。 B：參考粗糙度之內容。 C：RMS：均方根值，為晶圓表面完成後最佳的測量方法。計算方式是取其測量之平方，平均後再取平方根值。晶圓表面完成後之測量為晶圓表面之最高及最低點。 D：ppm為百萬分之一。 E：本體微缺陷代表1cm2之所有缺陷數量。 F：參考磊晶層之敘述。 正偏向 負偏向 真空平盤 晶圓 參考平面 晶圓變形 圖 4.27 晶圓正面的平坦度 圖 4.28 矽晶圓 表面 單晶層 磊晶層 矽晶圓 磊晶矽層的形成 圖 4.29 * * .tw ?2005 DLIT, All rights reserved 半導體製造技術第 4 章矽與晶圓準備 DE LIN INSTITUTE OF TECHNOLOGY .tw ?2005 DLIT, All rights reserved 授課老師：王宣勝 課程大綱 描述天然矽原料如何加工提煉成半導體級矽 (SGS)。 解釋晶體結構與單晶矽的成長技術。 討論矽晶體之主要缺陷。 簡單敘述由矽晶錠加工成為矽晶圓的基本步驟。 說明與討論晶圓供應商所需進行之7項品質測量項目。 解釋何謂磊晶與其重要性。 半導體級矽 表 4.1 晶體結構 非晶材料 晶胞 多晶與單晶結構 晶體方向 SiHCl3 多晶體矽柱 用於SG矽的Siemens反應器 圖 4.1 晶體結構的原子排列 圖 4.2 非晶原子結構 圖 4.3 三維結構的單位晶胞 單位晶胞 圖 4.4 面心立方的單位晶胞 圖 4.5 矽單位晶胞：FCC鑽石結構 圖 4.6 多晶與單晶結構 多晶結構 單晶結構 圖 4.7 單位晶胞的軸方向 Z X Y 1 1 1 0 圖 4.8 Miller指數的晶格平面 Z X Y (100) Z X Y (110) Z X Y (111) 圖 4.9 單晶矽成長 CZ 方法 CZ 晶體拉升器 摻雜 雜質控制 浮動區域方法 發展大直徑晶錠的理由 晶種 熔解的多晶矽 加熱擋板 水保護罩 單晶矽 石英坩鍋 碳加熱電熱絲 晶體拉升器 CZ晶體拉升器 圖 4.10 CZ方法的矽晶碇成長 Photograph courtesy of Kayex Corp., 300 mm Si ingot CZ晶體拉升器 Photograph courtesy of Kayex Corp., 300 mm Si crystal puller 矽中摻雜濃度的命名法 表 4.2 浮動區域晶體成長 RF 氣體入口 (鈍氣) 熔解區 活動式RF線圈 多晶柱 (矽) 晶種 鈍氣出口 平盤 平盤 圖 4.11 300 mm 200 mm 150 mm 125 mm 100 mm 75 mm 32 42 52 62 82 122 晶圓直徑的趨勢 圖 4.12 晶圓直徑與屬性 表 4.3 88個晶粒 8 晶圓 232個晶粒 12 晶圓 在較大晶圓直徑裡，晶粒數會增加 表 4.13 300mm晶圓直徑和方向需要的發展規格 表 4.4 From H. Huff, R. Foodall, R. Nilson, and S. Griffiths, “Thermal Processing Issues for 300-mm Silicon Wafers: Challenges and Opportunities,” ULSI Science and Technology (New Jersey: The Electrochemical Society, 1997), p. 139. 矽之