半导体理基础 .ppt

Intrinsic carrier concentration ni ：(本征载流子浓度)  结论:本征载流子浓度ni随温度升高而增加. lnni~1/T基 本是直线关系. 电中性方程: 以只含施主为例来分析： 分温区讨论： (1)低温弱电离区 电中性方程 2. extrinsic semiconductor (非本征/杂质半导体) Freeze-out 两边取对数并整理,得: ED起了本征情况下EV的作用 载流子浓度: (2)中温强电离区 电中性方程 两边取对数并整理,得: 载流子浓度: (本征激发不可忽略) 电中性方程 (3)过渡区 n0---多数载流子 p0---少数载流子 (4)高温本征区 (本征激发产生的载流子远多于杂质电离产生的载流子) 电中性方程 载流子浓度: 温 区 低温 中温 高温 费米能级 载流子浓度 （1）n ~T 分析、讨论 （2）EF ~T （3）EF ~掺杂（T一定，则NC也一定） T一定，ND越大，EF越靠近EC（低温： ND NC 时 , ND (ln ND -ln2 NC) ND NC 时, ND |ln ND -ln2 NC| 中温：由于T的升高， NC增加，使ND NC ， ND |ln ND -ln2 NC | ） T一定，NA越大，EF越靠近EV。 1 载流子浓度 2 . 4 简并半导体（degenrrated semiconductor） 对于简并半导体,导带底部的量子态基本被电子占满.电子分 布函数不再能近似为玻尔兹曼分布函数了,而要用费米分布描述 费米积分 P 76 当掺杂浓度很高时,会使 EF接近或进入了导带.—半导体简并化了. EC-EF2k0T 非简并 2 简并化条件 0EC-EF 2k0T 弱简并 EC-EF0 简并 3 杂质带导电 在重掺杂的简并半导体中,杂质浓度很高.杂质原子相互 靠近,被杂质原子束缚的电子的波函数显著重叠,这时电子作 共有化运动.那么,杂质能级扩展为杂质能带. 杂质能带中的电子,可以通过杂质原子间共有化运动参加导电---杂质带导电. 例题 结论： * * 例题 那么： 其中： 以硅为例： （1）B沿[111]方向，观察到一个吸收峰。 （2）B沿[110]方向，观察到两个吸收峰。 （3）B沿[100]方向，观察到两个吸收峰。 （4）B沿任意轴方向，观察到三个吸收峰。 硅导带底附近等能面是沿{100}方向的旋转椭球面。 硅导带底附近等能面 是100方向的旋转椭 球面。 分析： 设： θ B k1 k2 k3 [001] 适当选取坐标，使B位于k1-k2平面内： α=sinθ β=0 γ=cos θ 则： α=sinθ β=0 γ=cos θ θ B k1 k2 k3 Constant-Energy Surface （等能面 ） Ge、Si、GaAs E-k 关系图（Ge、Si） 3.3.2 锗：Eg=0.74eV 硅: Eg=1.17eV 1-Heavy holes 2-Light holes Heavy holes？ Light holes？ T=0 K E-k 关系图（GaAs） GaAs: Eg=1.16 eV 本征半导体: 是指一块没有杂质和缺陷的半导体. 本征激发: T0K时,电子从价带激发到导带,同时价 带中产生空穴. n0=p0 =ni n0 p0 =ni 2 ni ------本征载流子浓度 1. Intrinsic Semiconductor（本征半导体） 第二章 半导体中杂质和缺陷能级 *从si的共价键平面图看: P15:1S22S22P63S23P3 这种束缚比共价键的束缚弱得多,只要很少的能量就可以使它挣脱束缚,成为导带中的自由粒子.这个过程称杂质电离. Doped /extrinsic Semiconductor（掺杂/非本征半导体） (1) Donor（施主杂质 ） n型半导体 Ⅳ族元素硅、锗中掺Ⅴ族元素,如P: *从Si的电子能量图看: 结论: 磷杂质在硅、锗中电离时，能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心。这种杂质称