微纳米加工术及其应用.docxVIP

绪论1：纳米技术是制造和应用具有纳米量级的功能结构的技术，这些功能结构至少在一个方向的几何尺寸小于100nm。2：微纳米技术包括集成电路技术，微系统技术和纳米技术；而微纳米加工技术可获得微纳米尺度的功能结构和器件。3：平面集成加工是微纳米加工技术的基础，其基本思想是将微纳米机构通过逐层叠加的方式筑在平面衬底材料上。（类似于3d打印机？）4：微纳米加工技术由三个部分组成：薄膜沉积，图形成像（必不可少），图形转移。如果加工材料不是衬底本身材料需进行薄膜沉积，成像材料的图形需转化为沉积材料的图形时需进行图形转移。（衬底材料，成像材料，沉积材料的区别和联系）5：图形成像工艺可分为三种类型：平面图形化工艺，探针图形化工艺，模型图形化工艺。平面图形化工艺的核心是平行成像特性，其主流的方法是光学曝光即“光刻“技术；探针图形化工艺是一种逐点扫描成像技术，探针既有固态的也有非固态的，由于其逐点扫描，故其成像速度远低于平行成像方法；模型图形化工艺是利用微纳米尺寸的模具复制出相应的微纳米结构，典型工艺是纳米压印技术，还包括模压和模铸技术。6：微米加工和纳米加工的主要区别体现在被加工结构的尺度上，一般以100nm作为分界点。光学曝光技术1：光学曝光方式和原理可分为掩模对准式曝光和投影式曝光。其中，掩模对准式曝光又可分为接触式曝光和邻近式曝光，投影式曝光又可分为1∶1投影和缩小投影（一般为1∶4和1∶5）。接触式曝光可分为硬接触和软接触。其特点是：图形保真度高，图形质量高，但由于掩模与光刻胶直接接触，掩模会受到损伤，使得掩模的使用寿命较低。采用邻近式曝光可以克服以上的缺点，提高掩模寿命，但由于间隙的存在，使得曝光的分辨率低，均匀性差。掩模间隙与图形保真度之间的关系W=k其中w为模糊区的宽度。掩模对准式曝光机基本组成包括：光源（通常为汞灯），掩模架，硅片台。适用范围：掩模对准式曝光已不再适用于大规模集成电路的生产，但却广泛应用于小批量，科研性质的以及分辨率要求不高的微细加工中。投影式曝光：投影式曝光广泛应用于大批量大规模集成电路的生产。评价曝光质量的两个参数：分辨率和焦深。分辨率（最小可分辨图形线宽）R=，其中NA为数值孔径，由上式可知为了提高曝光分辨率可从如何降低，开发短波长光源，大数值孔径透镜方面入手。焦深DOF=，由上式可知，单纯地提高分辨率会降低焦深，而在大规模集成电路的生产过程中，焦深甚至更为重要。每一层掩模的设计都有一个最关键的尺寸，通常是最小的图形，这一关键尺寸称为CD。CD值需控制在一定的范围内才能使制造的集成电路有效地工作。2：光学曝光的工艺过程硅片表面处理：去除污迹，表面绝对干燥，涂附一层化学增附剂——HMDS；涂胶：一般有两种方法——“甩胶法”和喷涂法。前烘：蒸发掉胶中的有机溶剂成分，使硅片表面胶固化。曝光：在曝光机中进行曝光。后烘：可以部分消除驻波效应，采用涂抗反射涂层的方法可以有效防止驻波效应。显影：三种显影方法——浸没法，喷淋法，搅拌法。清除残胶: 显影过后硅片表面会残留一层胶质层，有时会妨碍下一步的图形转移，但并不是所有情况下都要去残胶。坚膜：硬烘烤，并不是一步必须的工序。图形转移：光刻胶本身只起到了一种掩模作用。去胶:有两种方法——湿法（酸碱类溶液或有机溶剂，如丙酮），干法（等离子体如氧气刻蚀去胶）。3：光刻胶的特性定义：光刻胶是指一大类具有光敏化学作用的高分子聚合物材料。作用：作为抗刻蚀层保护硅片。分类：正型光刻胶和负型光刻胶。二者的区别是正型光刻胶曝光部分被去除，负型光刻胶曝光部分被保留。组成部分：树脂型聚合物，溶剂，光活性物质（PAC），添加剂。注意:光刻胶不仅对光敏感，有些光刻胶对电子束，离子束也敏感。光刻胶的一些指标：①灵敏度——衡量曝光速度；（正负的定义不同）②：对比度——影响胶的分辨能力；③抗刻蚀比——刻蚀胶和刻蚀硅片的速度之比；④分辨能力⑤曝光宽容度——偏离最佳曝光剂量时，曝光图形的线宽变化情况；⑥工艺宽容比——偏离最佳工艺条件时，光刻胶的性能变化情况；⑦膨胀效应——负型光刻胶会出现这种情况；⑧热流动性——玻璃化转变温度：⑨黏度——衡量光刻胶的可流动性的；⑩保质期限——尤其对紫外光成分敏感。正型光刻胶，负型光刻胶，暗场掩模，亮场掩模组合起来使用，可以获得任意的曝光图形。相比之下，正型光刻胶的性能更优，用途更广。其他光刻胶：化学放大胶，特殊光刻胶——厚光刻胶，彩色光刻胶，可进行电镀涂附的光刻胶等。4：光学掩模的设计和制造明确定义掩模层：定义每层掩模的作用。做好掩模对准标志：确定层与层之间的位置关系，微系统器件可以使用掩模对准式曝光机曝光，大规模集成电路使用重复步进式平曝光机。严格遵守设计规则：不同的工艺具有不同的最小可实现图形尺寸，具有一套掩模设计规则，来规定最小尺寸和最小间距。掩模制造的本身就是一个微细加工