第0章化学气相淀积（PPT 精品）.pptVIP

第06章 化学气相淀积 引言 CVD模型 化学气相淀积系统 CVD多晶硅的特性和淀积方法 CVD二氧化硅的特性和淀积方法 CVD氮化硅的特性及淀积方法 金属的化学气相淀积 引言 定义 化学气相淀积(Chemical Vapor Deposition——CVD)是将含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸汽，以合理的流速引入反应室，通过在气相或衬底表面发生化学反应，形成预期薄膜淀积的化学反应过程。 CVD的基本要求 产生化学变化。 膜中所有的材料物质都源于外部的源。 化学气相淀积工艺中的反应物必须以气相形式参加反应。 引言 CVD工艺优点 设备简单，重复性好。 淀积速率一般高于PVD，效率高。 薄膜的成分精确可控、配比范围大。 淀积膜结构完整、致密，良好的台阶覆盖能力，且与衬底粘附性好。 厚度范围广，由几百埃至数毫米，可以实现厚膜淀积，且能大量生产。 CVD成膜温度远低于体材料的熔点。因此减轻了衬底片的热形变，抑制了缺陷生成。 CVD方法几乎可以淀积集成电路工艺中所需要的各种薄膜，例如掺杂或不掺杂的SiO2、多晶硅、非晶硅、氮化硅、金属(钨、钼)等。 缺点 淀积过程容易对薄膜表面形成污染、对环境的污染等。 引言 CVD工艺用途 形成钝化保护层，介质层，导电层，和掩蔽层 经过数十年的发展，CVD已经成为半导体生产过程中最重要的薄膜沉积方法。 PVD的应用大都局限在金属膜的沉积上；而CVD几乎所有的半导体元件所需要的薄膜，不论是导体，半导体，或者绝缘介电材料，都可以沉积。 在目前的VLSI生产过程中，除了某些材料因特殊原因还在用溅射法之外，如铝硅铜合金及钛等，所有其他的薄膜均用CVD法来沉积。 §6.1 CVD模型 CVD的基本过程 影响薄膜质量和沉积速率的参数：反应气体流量，反应压力，腔室温度，是否掺杂及掺杂数量等 CVD的基本过程 反应剂气体以合理的流速被输送到反应室内。 反应剂从主气流区以扩散方式通过边界层到达衬底表面。 反应剂被吸附在衬底表面，称为吸附原子（分子）。 吸附原子（分子）在衬底表面发生化学反应，生成薄膜的基本元素并淀积成膜。 气态副产物和未反应的反应剂离开衬底表面，扩散到主气体流中被排出系统。 §6.1 CVD模型 §6.1 CVD模型 §6.1 CVD模型 要完成薄膜的淀积，CVD的化学反应还必须满足以下几个条件 在淀积温度下，反应剂必须具备足够高的蒸汽压。 除淀积物外，反应的其他产物必须是挥发性的。 淀积物本身必须具有足够低的蒸汽压，这样才能保证在整个淀积过程中，薄膜能够始终留在衬底表面上。 薄膜淀积所用的时间应该尽量短，以满足高效率和低成本的要求。 淀积温度必须足够低以避免对先前工艺产生影响。 CVD不允许化学反应的气态副产物进入薄膜中（尽管在一些情况下式不可避免的）。 化学反应应该发生在被加热的衬底表面，如果在气相中发生化学反应，将导致过早成核，这回降低薄膜的附着性和密度、增加薄膜曲缺陷、降低淀积速率、浪费反应气体等。 §6.1 CVD模型 CVD的能量作用方法 高温分解： 通常在无氧的条件下，通过加热化合物分解（化学键断裂）； 光分解： 利用辐射使化合物的化学键断裂分解； 还原反应： 反应物分子和氢发生的反应； 氧化反应： 反应物原子或分子和氧发生的反应； 氧化还原反应： 反应3与4地组合，反应后形成两种新的化合物。 §6.1 CVD模型 边界层理论 气体的黏滞性 CVD反应室中的气压很高，以至于可以认为流体是黏滞性的，即气体分子的平均自由程远小于反应室的几何尺寸，这时就可以认为这样的气体为黏滞性流动。 边界层定义 速度受到扰动，并按抛物线型变化，同时还存在反应剂浓度梯度的薄层被称为边界层、或附面层、滞流层。 边界层厚度 §6.1 CVD模型 Grove模型 为了从理论上分析CVD过程，1966年，Grove建立了一个简单大CVD模型，尽管模型很简单，但解释了CVD过程中的许多现象，并且准确地预测了薄膜淀积速率。 Grove模型认为控制薄膜淀积速率的两个重要环节是： 反应剂在边界层中的输运过程——质量输运。 反应剂在衬底表面上的化学反应过程——表面反应。 §6.1 CVD模型 模型介绍 Cs的表达式 hg——气相质量输运系数，ks——表面化学反应速率常数 在稳定状态下，F1=F2，则 讨论： 当hg ks时， Cs→Cg。 当hg ks时， Cs→0。 Cg：主气流中反应剂浓度 Cs：Si衬底表面处反应剂浓度 F1：从主气流到Si表面处反应剂流密度 F2：反应剂在表面反应淀积成膜的流密度 §6.1 CVD模型 沉积速率G 在稳态情况下，F1=F2=F 在多数CVD中，反应剂先被惰性气体稀释，故 Y—反应剂的摩尔百分比，CT—分子总数/cm3（反应剂+惰性气体） §6.1 CV