第17章 核磁共掁-复习.pptVIP

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第17章 核磁共掁-复习

原子核 长波长电磁波照射 原子核自旋能级跃迁 (核磁矩方向改变,核磁共振) NMR光谱 --NMR的产生-- NMR谱获得方法有两种: ⒈ 扫场:固定照射频率 υ0 ,依次改变磁场强 度B0 ⒉ 扫频:固定磁场强度B0,依次改变照射 频率υ0 与UV-Vis,IR比较: 都属于分子吸收光谱 核磁共振吸收基本原理 核的自旋特征用自旋量子数I表示。若I0有自旋现 象,产生磁矩。         原子序数偶 自旋量子数I=0 质量数偶数 原子序数奇 自旋量子数I=1 原子序数奇 质量数奇数 自旋量子数为半整数 原子序数偶 I=0,如12C、16O,无自旋现象,磁矩为零,无NMR信号。 I0 如1H 、13C 、19F,有自旋现象,其中,I=1/2是主要讨论对象。 自旋产生磁矩,其核磁矩用μ表示,为矢量。由右手法则可知磁矩的方向;而大小取决于自旋量子数I和磁旋比γ0。 μ=γ I(I+1) ? h/2π 原子核能级分裂和能级的能量 把原子核放在磁场中,核磁矩有2I+1个取向。每一个取向代表一个分裂的能级,而每个取向的核磁矩在外磁场方向z的投影μz为: (m—每个取向的磁量子数,m=I,I-1,…-I) 在屏蔽作用下,进动频率发生位移 注:⒈ NMR谱右端为高场低频;左端低场高频。 ⒉ 化合物中化学环境不同的氢核,σ不同, υ不同。 例:CH3CH2OH 分子中三种不同类型氢,在三个不同位置上产 生共振峰。 表示方法 化学位移:频率的相对差别,单位ppm。 表示方法: δ:扫频 扫场 优点:a.相对值计算准确方便。 b.不受B0影响。 标准物TMS 1H环境一样,为单峰, 作为δ的零点,其余峰与之比较: 样品 CH3Br 1)B0=1.4092 T, υTMS=60MHz,υCH3=60MHz+162Hz 2)B0=2.3500 T, υTMS=100MHz,υCH3=100MHz+270Hz 不同B0的仪器,υ不同,化学位移一致。 ⒉ τ值: τ =10-δ 即:TMS τ定为10。而 δ=10 处, τ =0 若δ小,高场低频出峰。 若δ大,低场高频出峰。 ⒊ 各环境(δ)处的H数计算: 例:C11H16 δ(ppm) 7.2 2.45 0.9 图 积分高度(格) 7.4 3 13.6 方法如下: ⑴ 总积分高度: 7.4+3+13.6=24(格) 16个氢占24格 每个氢相当 24/16 格/每个H. (或16/24 氢/格) ∴ δ=7.2 处 7.4×16/24 ≈ 5个H δ=2.45处 3×16/24 ≈ 2个H δ=0.9 处 13.6×16/24 ≈ 9个H 2)共轭效应:使质子周围电子云密度增加,移向高场;反之,移向低场; 3)各向异性效应:质子在分子中所处的空间位置不同,屏蔽作用不同的现象为磁各向异向性。即在分子中,质子与某个官能团的空间关系,往往会影响质子的化学位移。也称远程屏蔽。 常见结构单元化学位移范围 质谱分析法 质谱过程      撞 击       得到 高速电子     气态分子   阳离子    顺序谱图     质量分析器 定性结构 定量分析 离子峰表示 分子离子峰、同位素、碎片、重排、亚稳和多电子离子峰等。 **分子离子峰:分子受电子撞击后,失去一个电子而生成带正电荷的离子?分子离子或母离子 M+e-→ M ++2e 故:分子离子峰m/e相当于该化合物的相对分子质量

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