电工学9章.pptVIP

9.1.2 N型半导体和 P 型半导体 9.1.2 N型半导体和 P 型半导体 9.1.3 PN结及其单向导电性 1. PN结的形成 3. PN 结加反向电压（反向偏置） 2) PN 结加反向电压（反向偏置） 9.2 半导体二极管 9.2.1 基本结构 9.2.2 伏安特性 9.2.3 主要参数 二极管电路分析举例 9.3 稳压管 3. 主要参数 9.4 半导体三极管 9.4.1 基本结构 9. 4. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 2. 各电极电流关系及电流放大作用 9.4.3 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 9.4.4 主要参数 1. 电流放大系数，? 特点:非线性 死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。 正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE ? 0.6~0.7V PNP型锗管 UBE ? ?0.2 ~ ? 0.3V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V O IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 放大区 输出特性曲线通常分三个工作区： (1) 放大区 在放大区有 IC=? IB ，也称为线性区，具有恒流特性。 在放大