江苏大学半导体物理第5章.pptxVIP

第5章 非平衡载流子 1 主要内容 §5.1 非平衡载流子准费米能级 §5.2 非平衡载流子的复合 §5.3 陷阱效应 §5.4 非平衡载流子的运动 §5.1 非平衡载流子的注入与复合 2 载流子的产生率： 单位时间、单位体积内产生的电子-空穴对的数目 载流子的复合率： 单位时间、单位体积内复合掉的电子-空穴对的数目 §5.1 非平衡载流子的注入与复合 一、热平衡状态 单位时间、单位体积内所产生的电子-空穴对的数目等于复合掉的电子-空穴对的数目 （载流子的产生率 = 复合率）； 宏观性质保持不变； 统计意义上的动态平衡； 对非简并的半导体，热平衡的判据式为： 二、非平衡状态 在外界条件作用下，平衡条件被破坏，系统处于与热平衡状态相偏离的状态。 非平衡载流子（过剩载流子） 非平衡少数载流子 §5.1 非平衡载流子的注入与复合 非平衡载流子注入方法 产生非平衡载流子的过程称为非平衡载流子注入 光注入：用光照产生非平衡载流子的方法。 电注入：用电场产生非平衡载流子的方法。如，p-n结加正向电压，在接触面附近产生非平衡载流子。 高能粒子辐照 另外，当金属与半导体接触时，加上适当极性的电压，也可以产生非平衡载流子。 §5.1 非平衡载流子的注入与复合 小注入条件：注入的非平衡少数载流子浓度比平衡时的多数载流子浓度小得多。 n型半导体 △n n0 p型半导体 △p p0 大注入条件：注入的非平衡少数载流子浓度比平衡时的多数载流子浓度大得多。 n型半导体 △n n0 p型半导体 △p p0 §5.1 非平衡载流子的注入与复合 附加电导率 非平衡载流子的注入必然导致半导体电导率的增大，即引起附加电导率： 小注入情况下 电阻率的改变为： 电阻的改变为： 非平衡载流子的注入必然影响半导体的电导率 通过观测半导体上电压降的变化就直接反映了电导率的变化，也间接的检测了非平衡少数载流子的注入。 §5.1 非平衡载流子的注入与复合 非平衡载流子的复合 当产生非平衡载流子的外作用撤出后，由于半导体内部的作用，使它由非平衡态恢复到平衡态，过剩载流子逐渐消失。这一过程称为非平衡载流子的复合。 §5.1 非平衡载流子的注入与复合 非平衡态 平衡态 非平衡载流子的复合 t=0时，外界作用停止， △p将随时间变化，衰减△p 0 10 小结 在热平衡情况下，由于半导体的内部作用，产生率和复合率相等，使载流子浓度维持一定。 当有外界作用时（如光照），破坏了产生和复合之间的相对平衡，产生率将大于复合率，使半导体中载流子的数目增多，即产生非平衡载流子。 随着非平衡载流子数目的增多，复合率增大。当产生和复合这两个过程的速率相等时，非平衡载流子数目不再增加，达到稳定值。 在外界作用撤除后，复合率超过产生率，结果使非平衡载流子逐渐减少，最后恢复到热平衡状态。 §5.2 非平衡载流子的寿命 11 一、非平衡载流子的衰减规律 非平衡载流子的寿命 非平衡载流子在导带和价带中的平均生存时间，记为τ 非平衡载流子的复合率 单位时间、单位体积内净复合消失的电子-空穴对数 单位时间内非平衡载流子的减少应当等于非平载流子的复合率， §5.2 非平衡载流子的寿命 小注入时， τ是一恒量，与Δp(t)无关。考虑初始条件， Δp(0)=(Δp)0。上式的解为 12 非平衡载流子的平均生存时间 13 二、非平衡载流子寿命的测量 若取 t =，则 寿命τ标志着非平衡载流子浓度减小到原值的1/e时所经历的时间。寿命不同，非平衡载流子衰减的速度不同。寿命越短，衰减越快。 测量方法 通常非平衡载流子的寿命是通过实验方法测量的。各种测量方法都包括非平衡载流子的注入和检测两个基本方面。 直流光电导衰减法； 光磁电法(短寿命非平衡子)； 扩散长度法； 双脉冲法； 漂移法… 14 典型材料中非平衡载流子的寿命 不同的材料寿命很不相同。 锗：10 4 μs 硅：10 3 μs 砷化镓：10 -8 ~10 -9 s 即使是同种材料，在不同的条件下的寿命也可以有很大范围的变化。 寿命是标志半导体材料质量的主要参数之一，依据半导体材料的种类、纯度和结构完整性的不同，可在10-2~10-9s的范围内变化。 15 16 小