图9b共基直流电流放大系数=IC－ICBO.PPT

(b) 共基直流电流放大系数 =（IC－ICBO）/IE≈IC/IE * 1.双极性晶体管的结构及类型 双极性晶体管的结构如图1.3.1所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。 图1.3.1 三极管结构示意图 发射极 Emitter 基极 Base 集电极 Collector 结构特点：（1）基区很薄，且掺杂浓度很低； （2）发射区的掺杂浓度远大于基区和集电区的掺杂浓度； （3）集电结的结面积很大。 上述结构特点构成了晶体管具有放大作用的内部条件。 图1.3.2 三极管外形图 双极性晶体管的常见外形图如图1.3.2所示。 2. 晶体管的电流放大作用 （1）晶体管具有放大作用的外部条件 发射结正偏，集电结反偏。对于NPN管， VC VB VE；对于PNP管， VE VB VC。 （2）晶体管内部载流子的运动（如图1.3.3所示） 发射区：发射载流子；集电区：收集载流子；基区：传送和控制载流子 以上看出，三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管。或BJT (Bipolar Junction Transistor)。 Home （3）晶体管的电流分配关系 根据传输过程可知 IC= InC+ ICBO IB= IB’ - ICBO 通常 IC ICBO IE=IB+ IC 为共基直流电流放大系数，它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 = 0.9?0.99 图1.3.4晶体管的电流分配关系 根据 IE=IB+ IC IC= InC+ ICBO 且令 ICEO= (1+ ? ) ICBO （穿透电流） 是共射直流电流放大系数，同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 当输入为变化量（动态量）时，相应的电流放大倍数为交流电流放大倍数： 3. 晶体管的共射特性曲线 （1）输入特性曲线 iB=f(vBE)? vCE=const (b) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下IB减小，特性曲线右移。 (a) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 vCE = 0V vCE ? 1V 图1.3.6 + - b c e 共射极放大电路 VBB VCC vBE iC iB + - vCE Rb Rc 图1.3.5 （2）输出特性曲线（图1.3.7） 饱和区：iC明显受vCE控制，该区域内，vCE=VCES＜0.7V (硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 iC=f(vCE)? iB=const 输出特性曲线的三个区域: 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， vBE小于死区电压，集电结反偏。 放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。 图1.3.7 4. 晶体管的主要参数 （1）直流参数 (a)共射直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB ? vCE=const 图1.3.8 (c) 极间反向电流 (i) 集电极基极间反向饱和电流ICBO 发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 图1.3.9 (ii) 集电极发射极间的穿透电流ICEO ICEO=（1+ ）ICBO 基极开路时，集电极与发射极间的穿透电流。 图1.3.10 ICEO 图1.3.11 （2）交流参数 (a)共射交流电流放大系数 (b)共基交流电流放大系数 当ICBO和ICEO很小时， ≈?、 ≈?，可以不加区分。 图1.3.12 （3）极限参数 (a) 集电极最大允许电流ICM (b) 最大集电极耗散功率PCM PCM= iCvCE= const (c) 反向击穿电压 ? V(BR)CBO—发射极开路时的集电结反向击穿电压。 ? V(BR) EBO—集电极开路时发射结的反向击穿电压。 ? V(BR)CEO—基极开路时C极和E极间的击穿电压。 其关系为： V(BR)CBO＞V(BR)CEO＞V(BR) EBO 图1.3.13 由PCM、 ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区。 图1.3.14 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区 5. 温度对晶体管特性及参数的影响 （1）温度对ICBO 的影响 (a) ICBO是集电结外加反向电压平衡少子的漂移运动形成的； (b) 温