第4半导体的导电性.pptVIP

* §3-4强电场效应 前面讨论半导体电导时，认为电流密度与电场强度的关系服从欧姆定律，即J＝σE，电导率σ与场强无关。实验表明，在外电场E不很强时，载流子迁移率是一个常数，平均漂移速度vd＝μE，欧姆定律成立。但是当电场超过一定强度后，J与E的关系偏离欧姆定律，这说明迁移率就不再是一个常数了，平均漂移速度随外电场的增加速率开始缓慢，最后趋于一个不随场强变化的定值，称为饱和漂移速度。这就是所谓强电场效应。 * 前言 3-1载流子的漂移运动 载流子热运动不会产生电流。 载流子在电场中的定向运动将形成电流。 漂移运动：由电场作用而产生的、沿电场力方向的运动为漂移运动 漂移电流：由载流子的漂移运动所引起的电流称为漂移电流。 前言 * 1．欧姆定律的微分形式 其中ρ为材料的电阻率，单位Ω·cm。σ为电导率，常用单位是S·cm-1。 1，从均匀情况导出的，同样适用于非均匀情况。 2，半导体中某点的电流密度正比于该点的电场强度，比例系数为电导率σ。 前言 * 2．漂移速度和迁移率 漂移速度：vdn和vdp分别为电子和空穴的平均漂移速度。 迁移率：单位电场下电子和空穴的平均漂移速度。分别用μn和μp表示电子和空穴迁移率，单位为cm2·V-1·s-1。 在不同的半导体材料中，μn、μp不同；在同一种材料中，μn和μp也不同 前言 * ?漂移电流 前言 * ?迁移率 载流子的平均漂移速度与