第2章双极型晶体三极管08-10-1.ppt

由混合 模型看参数特点： 常规参考数据： 1. 划分根据 — 串、并联相对阻抗大小的比较---忽略小 2. 实际外围电路为参照系 3. BJT启用小信号等效模型 4. 在放大状态交流通路图条件下进行 十九、 BJT的三种状态等效模型 1. 放大静态模型 2. 截止静态模型 第2章 BJT的重点内容 一、物理结构 高掺杂 宽收集 窄基区 E杂质浓度＞100×B杂质浓度 正偏扩散 反偏漂移 1. 结构图 发射极e 基极b 集电极c 2. 杂质区域特征 中间区异性。 3. 两个工作条件 （1）发射结e正偏。 （2）集电结c反偏。 N+ P- N B C E 6个电子 7个电子 1个电子 图中的红色圆点代表电子、白色圆点代表空穴。电流方向和电子运行方向相反。 VBB 外偏置直流电压及其载流子运行示意图 VCB IEN IEP IBN ICN 复合 电流 E 扩 散 B扩散 发射结 集电结 收集扩散电流 ICBO集电极反向饱和电流 发射区多子 向基区扩散 基区非平衡 少子向集电 结方向扩散 集电区 收集基 区非平 衡少子 二、载流子的物理运动 b区多子 向e区扩散 三、BJT符号、可选典型材料 NPN PNP NPN和PNP晶体管可选用材料：Si 、Ge 四、正常偏置条件下三条支路形成的电流 iB 基区复合电流 基区多子向发射区的扩散电流 集电结反向 饱和电流 iE 基区多子 向发射区 扩散电流 发射区多子向基区扩散电流 集电区收集的没复合的非平衡少子电流 集电结 反向 饱和 电流 iC 五、三条支路电流相互关系 六、放大偏置时的电流系数 （1）直流放大倍系数（ ） ∵常温下，IC ICBO , IBICBO 集电极电流与基极电流成线性关系。 （2）直流放大系数（ ） 七、BJT 管e结和c结放大区的直流偏压条件 1. NPN管 2. PNP管 ＋ － ＋ － （P56-P57） 八、CE 放大系数与集电极电流的特性曲线 八、CE （NPN管）电路及其静态特性曲线 1. CE电路图 2. CE 输入伏安特性图 3. CE 输入伏安特性和输出伏安特性曲线图（NPN） vCE≤ vBE 饱和区 vBE≤0 ,截止区 过耗区 放 大 区 击 穿 区 过耗区： 过流区 IC ICmax 放大区：vBE≥VBE（ON）、VCE＞VCES; iC =βiB PNP管伏安特性测量实验电路图 输入伏安特性曲线 PNP管伏安特性曲线 输出伏安特性曲线 ib 参变量 九、 BJT电路工作状态判定方法 电路的三种工作状态，流程图 发射结正偏 集电结反偏 假定 VBE = VBE(ON) VCE VBE(ON) 满足 VBE VBE(ON) 截止 临界 饱和 VCE = VBE(ON) VCE VBE(ON) 饱和 发射结正偏 集电结反偏 假定 VBE = VBE(ON) VCE VBE(ON) 满足 临界饱和 VCE = VBE(ON) 通常采取两种状态假定法： 放大 临界饱和 、 十、CE （NPN管）VCR【压控电流器件特征】 十一、指数函数 线性化 展开成幂级数 将幂级数线性化简的条件 故发射结电压 vbe 5mV输入条件下, 幂级数线性化式： 所以，发射结施加交流小信电压vbe≤5mV时，受它控制的交流电流 ic 与其成正比，是线性关系。 十二、 基区宽度调制效应 十三、 BJT的温度特性 P51 十四、 BJT的穿透电流 ICEO形成机理 十五、 BJT的交流小信号模型及其交流参数（ P52～P53 ） (低频管几百欧姆) 几十欧姆 (高频管) 几个欧姆 (微波管) 因为基区层半导体材料 极薄，面积小掺杂区体 电阻浓度低，会对基极电流产生一定阻力，称为基 区体电阻。 rbb’的大小，影响BJT管的最高工作频率。 基区复合电阻 (动态电阻) * * * *