吉林大学半导体课件第二章.pptVIP

说明与声明 《半导体器件物理学习指导》是编者在吉林大学电子科学与工程学院为 微电子学、光电子学、电子科学与技术等专业本科生讲授《半导体器件 物理》课的过程中为便于学生学习和使用所用《半导体器件物理》教材 （孟庆巨、刘海波、孟庆辉著，科学出版社2005年1月出版，2006年6月 第三次印刷）而编写的与教材配套的辅导性学习参考材料。按照教材的内 容和教学要求《半导体器件物理学习指导》包括以下四个方面的内容： 一 .重要名词、术语、概念和问题 二. 重要理论推导 三. 重要图表 四. 重要习题解答 说明与声明 欢迎和感谢对《半导体器件物理学习指导》的使用。由于作者水平所限， 编写时间仓促，错误之处在所难免 ，欢迎和感谢批评指正。 《半导体器件物理学习指导》仅供师生教学使用， 尚未作为文字出版物出 版，但是《半导体器件物理学习指导》作为2005年吉林大学精品课, 2005年吉林省精品课2007年中华人民共和国教育部国家精品课《半导体 器件物理与实验》课程的网上资源已经上网。任何未经本人允许而销售或 在任何出版物中引用《半导体器件物理学习指导》中的任何材料的做法都 将被视为是侵犯编者的知识产权的行为。 《半导体器件物理学习指导》编者 孟庆巨 于吉林大学 2006年6月30日 第二章 PN结 一、名词 术语 概念 问题 结：两种物质形成原子或分子级接触称为结或接触。由N型和P型半导体形成的结叫做PN结。 同质结：由同种半导体材料形成的结叫做同质结，同质结也有同型同质结和异型同质结之分（这里型指的是导电类型）。 异质结：由不同种半导体材料形成的结叫做异质结，异质结又有同型异质结和异型异质结之分（这里型指的是导电类型）。 高低结：由同种导电类型的半导体材料形成的结叫做高低结，比如P-P结，N-N结。 金属-半导体结：由金属和半导体形成的结叫做金属-半导体结，常称为金属-半导体接触。 突变结： P型区和N型区之间的杂质分布变化陡峭. 线性缓变结: P型区和N型区之间的杂质分布变化比较缓慢,可看做是线性变化的. 单边突变结：PN结一侧的掺杂浓度比另一侧的高得多，表示为 或 中性区:中性指的是电中性,PN结空间电荷区以外的区域(P区和N区)的电阻与空间电荷区的电阻相比可以忽略,加偏压时它们承受的电压降可以忽略故称为中性区 耗尽区与耗尽近似: 空间电荷区里自由载流子浓度与电离杂质浓度相比可以忽略,可以说自由载流子被耗尽了,因此把空间电荷区叫做耗尽区.这种近似叫做耗尽近似 势垒区: 空间电荷区两侧存在内建电势差相应电势能差称为势垒.由于空间电荷区两側存在电子和空穴的势垒因此也把空间电荷区叫做势垒区. 势垒区和空间电荷区、耗尽区指的是同一件事。 少子扩散区 ：空间电荷区两侧中性区里一到几个扩散长度的区域内注入少子以扩散方式运动，这个区域称为少子扩散区，简称为扩散区。 扩散近似：在PN结中性区由于有注入的过量少数载流子存在，建立起一瞬间电场。此电场吸引过量多子以中和注入的过量少数载流子，使电中性得以恢复。结果是，在少子注入区，可能有很高的过量载流子浓度而无显著的空间电荷效应。于是可以认为在中性区过量载流子将以扩散方式运动，这种近似称为扩散近似。 正向注入：正偏压使PN结N区多子电子从N区向P区扩散，使P区多子空穴从P区向N区扩散（这些载流子在进入对方区域之后成为对方区域中的少子）这种现象称为少子的正向注入。 反向抽取：反偏PN结空间电荷区电场将N区少子空穴从N区向P区漂移，将P区少子电子从P区向N区漂移，这种现象称为载流子的反向抽取。 正偏复合电流：正偏压使得空间电荷层边缘处的载流子浓度增加，以致 ? 。这些过量载流子穿越空间电荷层，使得载流子浓度可能超过平衡值，预料在空间电荷层中会有载流子复合发生，相应的电流称为空间电荷区复合电流 反偏产生电流：在