超薄goi材料的制备及hfo2ge界面态研究-preparation of ultra-thin goi material and study of hfo 2 ge interface state.docxVIP

fIII fIII I Ilrl IIIII III 111[I II IIfY3026427厦门大学学位论文著作权使用声明本人同意厦门大学根据《中华人民共和国学位条例暂行实施办 法》等规定保留和使用此学位论文，并向主管部门或其指定机构送交 学位论文(包括纸质版和电子版)，允许学位论文进入厦门大学图书 馆及其数据库被查阅、借阅。本人同意厦门大学将学位论文加入全国 博士、硕士学位论文共建单位数据库进行检索，将学位论文的标题和 摘要汇编出版，采用影印、缩印或者其它方式合理复制学位论文。本学位论文属于：( )1．经厦门大学保密委员会审查核定的保密学位论文，于 年 月 日解密，解密后适用上述授权。／(V)2．不保密，适用上述授权。(请在以上相应括号内打“、／”或填上相应内容。保密学位论文应 是已经厦门大学保密委员会审定过的学位论文，未经厦门大学保密委 员会审定的学位论文均为公开学位论文。此声明栏不填写的，默认为 公开学位论文，均适用上述授权。)声明人(签名)：蔓／I)、么、丸／多年古月胎日万方数据摘要为了满足集成电路等比例缩小规则的要求，具有克服短沟道效应的超薄GOI摘要为了满足集成电路等比例缩小规则的要求，具有克服短沟道效应的超薄GOI 材料和Hf02高K介质在未来CMOSd,型化中具有很好的应用前景，可以显著提高 器件性能。制备超薄的高质量GOI材料和降低H幻2与Ge之