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组成原理的讲义第3章存储系统
第3章 存储系统(1) 一、概述 1、基本概念 存储器是计算机系统的重要组成部分。 存储器有主存储器与辅助存储器之分。 主存储器,又称内存储器,即内存,用来存放程序和数据。CPU在工作过程中,要频繁地与主存储器交换信息,因此主存储器的性能在很大程度上影响整个计算机系统的性能。 目前,广泛采用的主存储器是按地址访问的,即一维线性存储器。它由许多存储元构成。存储元是存储器的最小单位,一个存储元可存放一位二进制信息,若干存储元构成一个存储字。通常存储字与机器字长相同。 2、主存储器的主要技术指标 (1)存储容量 指存储器所能存储的二进制信息的总位数。 SM=W.L (bit/Byte) L-主存储器字长(B/b) W-主存储器总字数 对于m个并行工作的存储体 SM=m.W.L (bit/Byte) 第3章 存储系统(2) (2)存取速度 CPU在工作过程中,要频繁地与主存储器交换信息,因此机器运算速度在很大程度上取决于主存储器的存储速度。 主存储器的速度通常可用访问时间TA,存取周期TM和存储器频宽Bm等三个参数来描述。 访问时间TA “访问时间”是指从CPU向存储器发出读命令开始,到存储器读出信息为止所需要的时间。其值越小,存取速度越快。 存取周期TM “存取周期”又称“访问周期”、“读周期”、“写周期”,它是指连续两次访问存储器所需要的最小时间间隔。显然TA包含在TM中,一般TMTA。对于破坏性读出的存储器, TM≈2TA。 存储器频宽Bm 是指连续访问存储器时,存储器所能提供的数据传送速率。 第3章 存储系统(3) 3、存储器的层次结构 计算机系统中,对存储器的要求是:大容量、高速度、低成本。 一级存储系统,很难同时满足上述三个要求。一般来说,存储器速度很高,存储容量就不可能很大,成本也不会很低;若存储容量很大,存取速度就不可能很高,成本也不可能很低。 为了满足上述三个要求,可将具有不同性质的多级存储器构成存储层次。 (1)二级存储层次结构 第3章 存储系统(4) (1)三级存储层次结构 第3章 存储系统(5) 4、存储器的分类 可根据存储器的不同特性,对存储器进行分类: 根据使用的存储元:半导体存储器和磁性存储器; 根据存储器的读写方式:RAM和ROM; 根据对存储器的访问方式:按地址访问存储器和按内容访问存储器; 根据信息的可保存性:永久性存储器,非永久性存储器; 根据读出方式:破坏性读出存储器和非破坏性读出存储器; 根据存取方式:随机存储器,顺序存储器和半顺序存储器。 第3章 存储系统(6) 二、半导体读写存储器 半导体读写存储器又称随机存储器,是非永久存储器,常作为计算机系统的主存储器。 根据使用的器件,半导体读写存储器分为:MOS存储器和双极型存储器,前者使用MOS管,后者使用双极型晶体管构成存储元。 一般情况下,MOS存储器的存取速度较慢,但存储容量大,适合作主存储器。双极型存储器访问速度快,但容量较小,适合作Cache存储器。 1、MOS存储器的存储元电路 MOS存储器根据存储元的结构分为静态MOS存储器(SRAM)和动态MOS存储器(DRAM)。 6管静态MOS存储元 4管动态MOS存储元 单管动态存储元-破坏行读出 动态存储器、静态存储器的区别 第3章 存储系统(6) 2、双极型存储器的存储元电路 双极型存储器主要特点 访问速度快 功耗大 集成度低 存储容量小 系统中用来作Cache 双极存储元根据不同的电路结构有TTL基本存储元和ECL(射极耦合)基本存储元。 第3章 存储系统(7) 3、半导体存储器的构成 存储矩阵 地址译码与驱动 存储控制电路 读写电路 4、静态MOS随机存储器芯片举例 Intel 2114 CS,WE 5、动态MOS随机存储器芯片举例 Intel 2116 6、动态存储器的刷新方式 集中式刷新方式 分散式刷新方式 异步式刷新方式 第3章 存储系统(8) 7、半导体存储器与CPU之间的连接* 位扩展法 字扩展法 字位扩展法 译码器简介 第3章 存储系统(9) 半导体存储器与CPU之间的连接举例: 例一: 某计算机可输出数据线8条(D7~D0),地址线20条(A19~A0),控制线一条(WE),目前使用的存储空间为48KB,其中16KB为只读存储器ROM,拟采用8K×8(位)的ROM芯片,32KB为RAM,拟采用16K×4(位)的RAM芯片。 (1)需要两种芯片各多少片? (2)画出CPU与存储器间的连接图(译码器自定)。 (3)写出ROM和RAM的地址范围? 解: (1) 需ROM芯片:16KB×8/(8K×8)=2(片) 需RAM芯片:32KB×8/(16K×4)=4
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