垂直腔体表面发射激光器理论特性与基于ise tcad的仿真研究-theoretical characteristics of vertical cavity surface emitting laser and simulation research based on ise tcad.docxVIP

摘要摘要垂直腔体表面发射激光器理论特性与基于垂直腔体表面发射激光器理论特性与基于 ISE TCAD 的仿真研究摘要新型的光电器件垂直腔体表面发射激光器（VCSEL）具有极低的阈值电流及 高的转换效率，且共振腔极短而容易产生单一纵模，出射激光的发散角度较小， 较易与光纤耦合。又由于其在制造时可直接在晶片上做测试并且易于集成二维阵 列，因此成为多芯片组件（MCM）波导光互连技术的首选光源。论文对 VCSEL 的原理、基本结构进行了论述，从半导体物理的角度讨论了激光产生的条件，研究了半导体激光器的起振原理，分析了造成二极管激光器结 构不断演变的关键动力及主要技术，并对激光器的光模式特性及求解光场的主流 仿真方法进行了简述。以激光原理为基础，从两个基本速率方程出发，详细推导了矩形截面一般结 构 VCSEL 的阈值电流表达式，该公式表明 VCSEL 的阈值电流主要与腔体损耗、 材料增益曲线、实际发光区域及泄漏电流程度有关。通过对表达式的讨论得出了 几种可以减小阈值电流的办法，包括降低腔体损耗，减小有源区发光孔径及采用 应变量子阱材料等。针对氧化限制型内腔接触式结构 VCSEL，提出了一种可能的 阈值电流修正形式。论文研究了适用于二维量子阱二极管激光器仿真的载流子“捕获”模型，给 出了器件不同区域对应的不同的连续性方程。利用 ISE TCAD 对具体的矩形截面 VCSEL 结构进行了仿真，给出了 VCSEL 基本 P-I 特性、I-V 特性、材料增益随注 入电流变化关系及近场光强分布的仿真结果。仿真结果显示，理想情况下 VCSEL 的阈值电流量级在数毫安以下，随着发光孔径的增大，阈值电流增加，一阶横模 近场光强分布更加分散。当发光有源区具有统一的电流密度时，矩形截面外腔接 触式结构 VCSEL 的阈值电流随发光孔径的变化呈平方率关系。关键词：垂直腔体表面发射激光器 阈值电流 速率方程 量子阱捕获模型AbAbstract垂直腔体表面发射激光器理论特性与基于垂直腔体表面发射激光器理论特性与基于 ISE TCAD 的仿真研究AbstractThe vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) has the properties of low threshold current and high conversion efficiency. They are single-longitudinal mode lasers and has small divergence angle for easier fiber coupling. VCSEL can be tested already on the wafer and possible to fabricate two-dimensional arrays of VCSEL, so it is considered as one of the most important devices for MCM optical communications.The basic principles and structures are expounded in this thesis, and the conditions of laser generation are introduced from the view of semiconductor physics. Based on these, the vibration principle of the semiconductor laser has been explained. The key method and main technology which result in the evolution of the structure has been summarized. Beside of this, the characteristics of light mode and the mainstream numerical solver for optical field has been described.Based on phenomenological method, the expression of threshold current for VCSEL with general rectangular section is derived in details from two basic rate equations. The formula shows that VCSEL threshold current is mainly determined