硅衬底上gan外延层和algangan异质结的mocvd生长研究-mocvd growth of gan epitaxial layer and al gan heterojunction on silicon substrate.docx

华 华 中 科 技 大 学 博 士 学 位 论 文II摘 要随着商业化氮化镓（GaN）基发光二极管（LED）、激光器（LD）和高电子迁移 率晶体管（HEMT）的相继推出，性能卓越的 GaN 基器件引起了广泛的关注。然而， 过高的成本和大功率器件的技术瓶颈阻碍了 GaN 基光电子器件的产业化进程。由于 GaN 体材料的缺失，GaN 基光电子器件只能在异质衬底上生长。考虑到 Si 衬底的众多优点，采用 Si 作为衬底是降低 GaN 基光电子器件成本和开发新型大功率 器件的有效途径。然而，与蓝宝石衬底和碳化硅衬底相比，在 Si 衬底上生长高质量 的 GaN 基材料较为困难：首先，GaN 在高温下易同 Si 发生剧烈的合金反应从而腐蚀 衬底和外延层；其次，由于 GaN 与 Si 衬底大的晶格失配和热失配，GaN 外延材料存 在缺陷密度高、易龟裂等问题。针对上述问题，本文系统地探讨和研究了 Si 衬底上 GaN 外延层的 MOCVD 生长工艺，主要研究内容如下：首先，研究了 Si 衬底的前期处理工艺对 GaN 外延层后续生长的影响，特别是对 高温预铺铝工艺和氮化铝（AlN）缓冲层的生长工艺进行了优化研究。结果表明：Si 衬底的清洗和高温烘焙工艺对衬底的表面形貌有显著的影响，并影响到随后 AlN 缓 冲层的生长；高温预铺铝的时间不仅会影响衬底表面氮化的抑制效果，而且影响后 续 AlN 缓冲层生长的均匀性；AlN 缓冲层生长参数的变化则直接影响到 Si 和 Ga 的 隔离效果和 GaN 外延层的生长质量，因而其优化的意义重大。其次，研究了三类应变缓冲层的设计与优化，探讨了它们对 GaN 外延层张应力 和穿透位错消除作用的影响。为了有效地消除 GaN 外延层中的张应力，采用低温氮 化铝（LT-AlN）成核层和若干 LT-AlN 插入层的应变缓冲层设计技术，通过对插入层 的层数、厚度和生长温度的优化，实现了厚度超过 1.5μm 无裂纹的外延层生长，但 外延层晶体质量还有待提高；采用较厚的高温（HT）AlN 缓冲层结合组分连续渐变 的 AlxGa1-xN 插入层的设计，通过对 HT-AlN/Si(111)模板的优化（例如 AlN 厚度和生 长 V/III 比），及对 AlxGa1-xN 插入层的组分渐变方式（线性和非线性）、渐变速率（生 长速率）和厚度的优化，发现生长较薄的、非线性的 AlxGa1-xN 组分连续渐变层就可IIII以有效地消除张应力和位错密度，生长出超过 1.5μm 无裂纹、高质量的 GaN 外延层；尝试了几种含超晶格结构的应变缓冲层设计，方案新颖独特，但是在实验中，因无 法保证超晶格的界面陡峭性，未显示出它在消除应力和位错上的作用。最后，在获得高质量 GaN 外延层的基础上，生长出 AlGaN/GaN 异质结，并考 察了 AlGaN 垒层厚度、异质界面粗糙度等因素对异质结二维电子气（面密度和迁移 率）的影响。关键词：氮化镓 硅衬底 金属有机物化学气相沉积 外延生长 缓冲层 异质结 PAGE IV PAGE IVAbstractSince commercial GaN-based light emitting devices (LEDs), laser diodes (LDs) and high electron mobility transistors (HEMTs) had been launched, excellent GaN-based devices are attracting more attention worldwide. However, the comercializaiton of GaN-based optoelectronic devices is hampered by high cost for production and various bottlenecks in developing high power devices.Due to lack of bulk materials, GaN-based devices are only grown on foreign substates. Thanks to its merits, silicon (Si) is considered as a potential substrate for heteroepitaxy of GaN-based devices with low cost and a good solution to high-power problem. Compared with sapphire and SiC substrates, growth of high quality GaN epilayers on S