固溶及退火处理对al-1.0%si合金再结晶行为的研究-study on recrystallization behavior of al - 1.0 % si alloy by solid solution and annealing treatment.docxVIP

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2018-07-05 发布于上海
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固溶及退火处理对al-1.0%si合金再结晶行为的研究-study on recrystallization behavior of al - 1.0 % si alloy by solid solution and annealing treatment

Influences of Solid Solution and Annealing Treatment on Recrystallization Behaviour of Al-1%Si alloyA Thesis Submitted to Chongqing University in Partial Fulfillment of the Requirement for theMaster’s Degree of EngineeringByXu ChaolingSupervised by Prof. Liu QingAssistant Supervised by Prof. Wu GuilinSpecialty: Material Science and EngineeringCollege of Material Science and Engineering of Chongqing University, Chongqing, China September 2013重庆大学重庆大学硕士学位论文中文摘要II摘要溅射靶材主要用于集成电路的布线。近年来，随着微电子等高科技产业的发展，溅射靶材的应用越来越广泛。Al-1%Si合金作为一种重要溅射靶材材料，其晶粒尺寸和织构对溅射过程有重要的影响，如何控制溅射靶材的晶粒尺寸和织构是靶材生产过程中的重要工艺过程。本文以高纯铝合金Al-1%Si为研究对象，通过固溶处理、冷轧和再结晶退火等处理，对其在处理过程中微观组织和织构的演变做了较为系统的研究。首先将铝硅合金（Al-1%Si）合金分成两组，一组经过固溶处理、另一组不固溶；然后对两组合金冷轧，得到变形量分别为 63%、86%、95%和 98%（真应变分别为1、2、 3和4）的样品；然后，未固溶组样品分别在 200℃、300℃、400℃不同时间再结晶退火，直至完全再结晶；固溶组样品分别在 250℃、350℃、450℃不同时间再结晶退火，直至完全再结晶。用扫描电镜和EBSD技术对微观组织结构和织构进行表征，研究固溶处理、冷轧变形量及退火温度对铝硅合金再结晶晶粒尺寸及织构的影响。通过研究得到以下主要结论：（1）Al-1%Si 合金在进行两小时固溶处理后，大部分第二相颗粒已经融入基体；进一步延长固溶时间，第二相颗粒分布并没有明显的改变。（2）在退火过程中Si元素从固溶Al-1%Si基体中析出，随着温度的升高，析出颗粒数量增加。同一温度下，随着变形量的增加，大颗粒数量减少、小颗粒尺寸增加。（3）未固溶Al-1%Si合金的T50均在200℃左右，固溶Al-1%Si合金的 T50大约为250℃。（4）随着冷轧变形量的增加，Al-1%Si合金的再结晶晶粒尺寸先减小、后增大；同一变形量的Al-1%Si 合金，随着退火温度的升高再结晶晶粒尺寸增大。（5）固溶Al-1%Si合金相对于没有经过固溶处理的铝合金更容易形成随机织构。（6）固溶处理Al-1%Si合金冷轧至真应变为2后在350℃退火6h，平均晶粒尺寸17.6±9μm、具有随机织构，适合于生产溅射靶材。关键词：Al-Si合金，溅射靶材，固溶处理，退火，晶粒尺寸重庆大学重庆大学硕士学位论文英文摘要IIIIABSTRACTSputtering target materials are mainly used in the placement of the integrated circuit. In recent years, with the development of microelectronics and other high-tech industries, the sputtering target materials are more and more widely used. Al-%1Si alloy, as an important material of sputtering target materials, its grain size and texture have key influences to the sputtering process. So how to control the grain size and texture of sputtering target materials is the critical isue in the process of target materials.In this thesis a high purity Al-1% (wt.) Si alloy was used. The material was produced by solution treatment, cold ro