第5章 传感器 电动势.pptVIP

第五章 电动势式传感器原理与应用 5.1 磁电感应式传感器 恒磁通式：磁路系统恒定运动部件可以是线圈（动圈式），也可是磁铁（动铁式） 激励级间的电阻 同时 （因为 ， 为电子迁移率） 解得： 一般N型半导体的电子迁移率大于P型半导体的空穴迁移率，因此为了获得较高灵敏度的传感器，通常选用N型半导体材料作为霍尔元件 2). 霍尔元件温度补偿 将霍尔元件垂直置于磁环开口气隙中，让载流导体穿过磁环，由于磁环气隙的磁感应强度B与待测电流I成正比，当霍尔元件控制电流IH 一定时，霍尔输出电压UH 则正比于待测电流I，这种非接触检测安全简便，适用于高压线电流检测。 3. 霍尔式微位移传感器 二是放大传感器输出的微弱信号。 压电系数很小 压电传感器的输出可以是电压信号，也可以是电荷信号或者说压电传感器有两种等效电路， 因此前置放大器也有两种形式： 电压放大器（对电压信号进行放大） 电荷放大器（对电荷信号进行放大） 陶瓷片对外不表现极性,而是中性。 压电陶瓷片内束缚电荷(内部)与电极上吸附的自由电荷示意图 陶瓷片内的极化强度总是以电偶极矩的形式表现出来，即在陶瓷的一端出现正束缚电荷，另一端出现负束缚电荷。由于束缚电荷的作用，在陶瓷片的电极面上吸附了一层来自外界的自由电荷。这些自由电荷与陶瓷片内的束缚电荷符号相反而数量相等，它屏蔽和抵消了陶瓷片内极化强度对外界的作用。 压电效应分析 不受外力: 图 正压电效应示意图 F － ＋ - - - - - ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ - - - - - ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ 极化方向 如果在陶瓷片上加一个与极化方向平行的压力F，陶瓷片将产生压缩形变。片内的正、负束缚电荷之间的距离变小，极化强度也变小。释放部分吸附在电极上的自由电荷，而出现放电现象。当压力撤消后，陶瓷片恢复原状，极化强度也变大，因此电极上又吸附一部分自由电荷而出现充电现象。——正压电效应(机械能转换为电能)。 受外力: 若在片上加一个与极化方向相同的电场，电场的作用使极化强度增大。陶瓷片内的正、负束缚电荷之间距离也增大，即陶瓷片沿极化方向产生伸长形变。同理，如果外加电场的方向与极化方向相反，则陶瓷片沿极化方向产生缩短形变。这种由于电效应而转变为机械效应，或者由电能转变为机械能的现象，就是压电陶瓷的逆压电效应。 图 逆压电效应示意图 Ｅ 电场方向 极化方向 - - - - - ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ - - - - - ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ 三 压电方程 1 压电方程 当元件受外力F作用时，在相应晶面上产生的表面电荷与外力成正比，即 Q=d.F 式中d——压电系数，材料的特性参数 由前面讨论可知：压电材料存在纵向和横向压电效应，而且除了受单向应力外（ ），还存在剪切力（扭的力）（ ），因此压电方程应写为矩阵式： 在六个力的综合作用下，在六个面上产生电荷 但是在实际的设计应用时，通常只受一个方向的力，这样就简单多了。 i: 1,2,3 晶体极化方向 j: 1,2,3,4,5,6单向应力,剪切力 1 2 3 4 5 6 2 压电常数矩阵 1）石英 d11 -d11 0 d14 0 0 [D]= 0 0 0 0 -d14 -2d11 0 0 0 0 0 0 2)压电陶瓷 0 0 0 0 d15 0 [D]= 0 0 0 d15 0 0 d31 d32 d33 0 0 0 5.3.2 压电传感器常用结构形式 一、切型 X切型 2 Y切型 二、结构形式 (a)厚度变形 (b) 长度变形 (c) 体积变形(d)面切