电离辐射吸收剂量的测量3fkzz1.pptVIP

界面附近呈现的正、负电性统称空间电荷，由于这种空间电荷的存在，就在界面两边很小的PN结区域里形成静电场和电位差。当这种探测器受到电离辐射照射时，会产生新的载流子－电子和空穴对，在电场作用下，它们很快分离开分别被“拉”到正极和负极，形成脉冲信号。因此，有的学者将半导体探测器称为“固体电离室”。 当前，硅晶体半导体探测器主要应用： 测量高能X（γ）射线：与空气电离室相比较，具有极高的灵敏度。半导体探头可以做得非常小（0.3～0.7mm3)。常用于测量剂量梯度比较大的区域。 测量电子束的剂量：由于硅与水的质量阻止本领之比基本不随电子束的能量而变化，使其有独特的优点，它可直接以深度电离曲线表示百分深度剂量曲线。同时在小照射野条件下，应用半导体探头测量较低能量的电于束剂量分布，也优于平行板电离室，这主要是后者对较低能量电子束较高的侧向散射反应不灵敏。 半导体探测器在实际使用中受到的限制： （1）由于硅的原子序数（Z=14）比水的有效值高，对中低能X射线(200keV以下)的反应截面大，这样在大照射野的边缘或较大的深度处测量等剂量分布，会受到一定的影响，为克服这一缺陷，往往在探头的侧面及底部增加一层屏蔽材料，起滤过低能光子的作用。不过这样做会导致半导体探头的方向性效应的变化。 （2）由于热效应的影响，半导体探测器