第五章4 静态cmos逻辑电路.pptVIP

双传输晶体管逻辑(DPL) 几种传输门电路的比较 CPL和CMOS传输门电路中，两个传输通路分别受A和A控制，A为高电平时传输B，A为低电平时传输B。 DPL电路中两个NMOS传输管受A和A控制，分别传送B和B，两个PMOS管分别受B和B控制，分别传输A和A。输出低电平时主要NMOS传输管起作用，传输高电平时主要PMOS管起作用。 DPL电路每个输入信号只接一个栅极和一个源极，输入电容较小。 四、类NMOS电路 静态CMOS逻辑门利用NMOS管和PMOS管的互补特性，使上拉通路和下拉通路轮流导通，从而获得很好的电路性能。 缺点：每个输入都包含NMOS和PMOS管，不利于减小芯片面积和提高集成度。 因此，对某些性能要求不太高，但希望面积尽可能小的电路，可以采用类NMOS电路形式。 * 有比逻辑 (Ratioed Logic) 主要目标 减少实现一个给定逻辑功能所需的晶体管数目?减小面积； 逻辑结构 由一个实现逻辑功能的NMOS下拉网络和一负载器件构成。 类NMOS电路只用NMOS管串并联构成逻辑功能块，上拉通路用一个常导通的PMOS管代替复杂的PMOS逻辑功能块。 因此，对于n输入逻辑门，类NMOS电路只需要n+1个MOS管。比静态CMOS逻辑门节省了近一半器件。 * 类NMOS逻辑门 In Out inverter OUT Pulldown Network Idn Pseudo-NMOS AOI * 类NMOS反相器的工作分析 PMOS管：常通 ， ： NMOS管： ：工作在饱和区； ：工作在线性区； ：工作在饱和区； 工作在线性区； In Out * 类NMOS反相器的VTC分析 1 输入为低电平时，类NMOS反相器的下拉网络关断，电流为0；而上拉PMOS管导通，输出高电平； 　 　　 ：NMOS管工作在截止区； 　 ： PMOS管工作在线性区；　　　　　　 * 输入为高电平时，类NMOS反相器的下拉网络导通，将输出下拉，输出低电平； 　 ：NMOS管工作线性区 ； 　　　　　　 PMOS管工作在饱和区 ；　　　　　　 此时电流相等，即： 类NMOS反相器的VTC分析 2 * 结论 输出低电平的值不为0，取决于比例因子 ； 增大　可使　 尽可能小，且电路功耗也会减小； 但 太小将使电路的上升时间增加； 比例因子 过大会导致上升时间的增加； 输出低电平时存在静态功耗； 类NMOS电路优缺点 五、MOS传输门逻辑电路 MOS晶体管的源、漏区是完全对称的结构，因此MOS晶体管的源、漏极可以互换。MOS晶体管的这种双向导通特性给它的应用带来了很大的灵活性。 对于源、漏极不固定，可以双向传送信号的MOS晶体管叫做传输管或传输门。 NMOS传输门传输高电平特性 1. 输入端是漏极，输出端是源极； 2. Vc是高电平，因此NMOS管工作在饱和区，直到Vout=VDD-VTN时NMOS管截止； 3. 输出高电平只能达到VDD-VTN，传输高电平有阈值损失； 4. 减小阈值电压，或提高控制信号电压，可提高输出电平。 NMOS传输门传输低电平特性 1. 输入端是源极，输出端是漏极； 2. Vc是高电平，因此NMOS管工作在VGS=VDD，随着输出电平的降低，NMOS管先饱和再线性，直到VDS=0 3. 传输低电平没有损耗。 PMOS传输门传输特性 PMOS管可以无损耗的传输高电平，但是传输低电平会有阈值损失。 CMOS传输门 为了克服单个MOS管作传输门有阈值损失的问题，可以把一个NMOS管和一个PMOS管并联起来构成CMOS传输门。 CMOS传输门需要一对互补的控制信号。当控制信号C=VDD时，NMOS管和PMOS管都导通，CMOS传输门导通，可以把输入信号传送到输出端；当C=0时，NMOS管和PMOS管都截止，CMOS传输门关断，使输出和输入隔离。 CMOS传输门传输高电平特性 CMOS传输门在传输高电平时，NMOS管始终工作在饱和区，而PMOS管是在恒定的栅源电压下，先工作在饱和区，然后进入线性区。 尽管第三个阶段时NMOS截止，但传输高电平还没有结束，PMOS还导通，可以继续对负载充电，此时PMOS管工作在线性区，直到|VDSP|=Vin-Vout=0时，传输才结束