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第五章1 静态cmos逻辑电路
反相器版图及电路 特点： Vin作为PMOS和NMOS 的共栅极； Vout作为共漏极； VDD作为PMOS的源极和体端； GND作为NMOS的源极和体端 CMOS反相器由一个增强型PMOS管和一个增强型NMOS管组成。 一、CMOS反相器 CMOS反相器的基本特性 反相器中MOSFET的工作区域 电压传输特性曲线 CMOS反相器的直流电压传输特性 CMOS反相器的直流电压传输特性 Vin=Vout时的电平。如果NMOS管和PMOS管完全对称，则Vit=0.5VDD CMOS反相器的直流电压传输特性 实际CMOS反相器的直流电压传输特性 器件参数对直流特性的影响 Kr1, Vit0.5VDD Kr=1,Vit=0.5VDD Kr1,Vit0.5VDD Vtn|Vtp|, Vit0.5VDD Vtn=|Vtp|, Vit=0.5VDD Vtn|Vtp|, Vit0.5VDD 直流转移特性 * 噪声容限的定义 是指当信号从一个逻辑门的输出传输到下一个门的输入时，所允许的信号电平的变化范围，它表示了相邻两级门间所能允许的噪声电平。 包括：输入低电平噪声容限VNL和输入高电平噪声容限VNH： 物理意义：噪声容限反映了逻辑门对噪声灵敏度的度量，而电路的抗干扰能力随噪声容限的增加而增强。 三种定义方法： 由极限输出电平定义 由单位增益点定义 由反相器逻辑阈值定义的最大噪声容限 反相器的直流噪声容限 采用这种方法确定噪声容限必须知道VOHmin和VOLmax 反相器的直流噪声容限 数字电路具有可恢复逻辑特性 上升时间和下降时间的定义 分析上升时间的等效电路 推导CMOS反相器的上升时间 u=Vout/VDD, αp=-VTP/VDD, αn=-VTN/VDD （u从u1上升到αp这段时间PMOS工作在饱和区） （u从αp上升到u2这段时间PMOS工作在线性区） 上升过程充电电流的变化 分析下降时间的等效电路 传输延迟时间 电路的工作速度决定于信号通过电路的传输延迟时间。 tPHL表示从输入信号上升边的50%到输出信号下降边的50%所经过的延迟时间，也叫做输出从高向低转换的传输延迟时间。 tpLH表示从输入信号下降边的50%到输出信号上升边的50%所经过的延迟时间，也叫做输出从低向高转换的传输延迟时间。 平均传输延迟时间 CMOS反相器的负载电容 电路的最高工作频率 如果输入信号是占空比为1：1，T/2≥max ( tr, tf ) 环形振荡器的频率 CMOS反相器设计
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