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纳米压印光刻工艺浅谈及其专利分析-高等教育学论文纳米压印光刻工艺浅谈及其专利分析 纳米压印光刻工艺浅谈及其专利分析 张乐伏霞 （国家知识产权局专利局专利审查协作江苏中心，江苏 苏州 215163） [摘要]光刻技术是半导体及其相关产业发展和进步的关键技术之一，传统光刻技术有着各自的缺点，结构复杂，分辨率受限于衍射极限。随着在应用中技术问题的增多，寻找解决技术障碍的新方案、找到下一代可行的技术路径，备受人们的关注。在这场技术竞赛中，纳米压印工艺得到人们的普遍关注，它的分辨率不受限于衍射极限，图形的均一性符合大生产的要求，使得人们看到找到纳米技术的突破口的可能。本文统计、分析了全球纳米压印工艺的专利申请文件，并通过相关重点专利对纳米压印工艺进行了分析介绍，继而针对纳米压印工艺的发展所遇到的关键技术挑战进行了归纳。 [ 关键词 ]纳米压印；光刻；专利；发展前景；技术挑战 0引 言 光刻技术是半导体及相关产业发展和进步的关键技术，传统的光刻技术有紫外光刻、电子束光刻等，然而这些技术有着各自的缺点，结构复杂，依赖于光学系统进行成像，分辨率受限于衍射极限。在过去的几十年中，传统光刻技术发挥了重大作用；但另一方面，随着在应用中技术问题的增多、用户对应用本身需求的提高，寻找解决技术障碍的新方案、找到下一代可行的技术路径，去支持产业的进步也显得非常紧迫，大量的研发和开发