磁控溅射TiTiN多层薄膜制备及性能研究.pptVIP

磁控溅射Ti/TiN多层薄膜制备及其性能研究 目录 薄膜技术的的发展及现状 单层TiN薄膜的制备及性能研究 Ti/TiN多层周期结构薄膜的制备与表征 Ti/TiN多层周期结构薄膜的性能研究 结论与展望 Part one：薄膜技术的的发展及介绍 1.薄膜技术的发展历程：1982年利用辉光放电的方法溅射沉积薄膜“19世纪末,利用通电导线使材料蒸发的方法制备薄膜”但是,由于早期的薄膜制备技术比较落后,造成制备薄膜的重复性较差,在很大程度上制约了薄膜的应用与发展。 随着薄膜制备技术和检测系统的不断进步和完善,薄膜制备的重复性得到了提高,薄膜的应用也迅速得到发展“尤其是在20世纪50年代,随着电子、信息、工业的快速发展,薄膜技术和薄膜材料在工业技术领域发挥着极其重要的作用。 薄膜的制备是研究材料性能的第一步,因此,薄膜制备技术已成为新材料研制首要必备的研究手段“同时,由于薄膜的光学!电学以及机械性能优越,目前,薄膜技术已渗透到航空航天!医药!能源!交通!通信和信息等现代科技和国民经济的各个重要领域”薄膜材料正向综合型!智能型、复合型、环保型!节能型和纳米方向发展,它将对整个材料学的发展起到推动和促进作用。 2.薄膜的形成过程 成核阶段：气态的粒子(原子或分子)逐渐沉积到衬底表面上。 “小岛”阶段：是以衬底表面的粒子之间发生碰撞,在衬底上形成一些均匀、细小而且可以运动的原子团,形成“小岛”。 网络阶段：“小岛”间相互碰撞、相互合并逐渐长大。 连续薄膜阶段：孤立的“小岛”相互连接成片,逐渐形成连续薄膜。 薄膜形成过程示意图 Part two：单层TIN薄膜的制备及性能研究 1. TiN晶体：TiN晶体具有金属光泽则呈金黄色“室温下,TIN的熔点为2960℃,理论密度为5.43g﹒cm-3,TiN的莫氏硬度为8～9,显微硬度为21GPa,弹性模量为616GPa,抗弯强度为431MPa,断裂韧性为6～10MPa﹒m-1/2,线膨胀系数为9.35x10-6K-1, 具有较好的导电性能。 TiN晶体属于典型的NaCI型结构,面心立方点阵,晶格常数为0.4239nm。TiN属于间隙相,原子间的结合为共价键、金属键及离子键的混合键。 TiN晶体结构示意图 2.单层TiN薄膜制备： 薄膜材料：Ti／TiN。 衬底材料：精抛光处理Si片 薄膜制备过程：溅射镀膜是利用气体(如工作气体Ar气)放电产生的正离子在电场的作用下高速轰击作为阳极的靶,使得靶材中的原子(或离子)逸出而淀积到被镀基片表面,从而形成所需要的薄膜 CKJ-500D多靶磁控溅射镀膜系统程示意图 薄膜制备过程示意图 3. Si衬底对TiN薄膜表面形貌、结构的影响： 实验选取p-Si(111)和p-Si(100)衬底上制备TiN薄膜，进行分析。 不同Si衬底上制备的TiN薄膜的XRD图 不同Si衬底上制备的TiN薄膜的表面AFM图 结论：p-Si(111)衬底上所制备的TIN薄膜,颗粒更均匀、细密 4. 溅射电流对TiN薄膜结构、性能的影响： 在本底真空度5.0x10礴Pa,衬底温度600e,通入纯度为99.99%氢气3oml/s和纯度为99.99%氮气2ml/s,保持腔体气压为0.5Pa,溅射时间为60min,改变溅射电流分别为0.25、0.3、0.35、0.4、0.45和0.5A的工艺条件下制备TiN薄膜样品。 不同溅射电流制备TiN薄膜的XRD图 不同溅射电流制备的TiN薄膜的表面粗糙度和颗粒平均粒径 结论：溅射电流的增加即溅射功率的增大使大部分溅射粒子具有高能量,这些粒子会在撞击点位上产生缺陷,由于衬底表面这些缺陷区域的结合能比邻近区域高,优先成为成核点,有助于加快薄膜生长。 5.衬底温度对TiN薄膜结构、性能的影响： 制备TiN薄膜样品的工艺参数为真空度5.0×10-4Pa、纯度99.99%Ar气30ml/s和N2气2ml/s,改变衬底温度分别为：350、400、450、500、550、600和650℃。溅射时间为60min 不同温度制备TiN薄膜的XRD图 不同温度制备的TiN薄膜的表面粗糙度和颗粒平均粒径 结论：TiN薄膜的沉积速率随衬底温度变化没有明显规律。 Part three：Ti/TiN多层周期结构薄膜的制备与表征 1.多层周期结构薄膜TiN薄膜制备： 薄膜材料：Ti／TiN。 衬底材料：精抛光处理Si片 薄膜制备过程：薄膜的制备过程与制备单层薄膜的类似，不同的是需要多次完成在表面溅射的过程。 2.多层周期结构薄膜TiN薄膜表征： 实验样品制备的工艺参数为本底真空度5.0x10-4Pa,氮气流量2ml/s,氨气流量30ml/s,腔体气压0.5Pa,溅射电流0.4A,衬底温度分别为600、55