半导体材料（大学课件）张源涛-课件-第三章3.2-3.3.pdfVIP

第3章 晶体生长 第3章 晶体生长 3-1 、晶体生长理论基础 3-2 、熔体的晶体生长 3-3 、硅、锗单晶生长 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 3-2 熔体中的晶体生长 熔体中生长的过程： 液- 固相变：无对称性结构→有对称性结构 不是整体效应，固液界面不断推进逐步完成的类似于 正常凝固的过程，相变过程放出相变潜热。 熔体生长的相变条件：ΔT ＜0 即生长界面必须处于过冷状态，是低于凝固点T的等 温面。 Ge、Si、GaAs 、InP等单晶，都是从熔体中生长的。 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 3-2 熔体的晶体生长 熔体生长的目的：获得高质量体单晶 熔体中生长要求：材料在熔点附近性能稳定，不 发生分解、升华和相变 在晶体生长过程中，为保证晶体生长顺利进行必须 考虑解决热量输运和质量输运的问题。 气相和溶液中生长晶体时，质量输运起重要作用。 熔体中生长主要是热量输运问题，它直接影响晶 体生长参数、生长界面形态和晶体的完整性等。 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 3-2 熔体的晶体生长 3-2-1 晶体生长界面热输运方程 热传递包括： QH ：加热器传给坩埚的热； QRC ：坩埚向外辐射的热（底部）； Q ：熔体向固-液界面传导的热； L QRL ：熔体向外散热； Q ：相转变时放出的相变潜热； F QRS ：晶体表面散热； Q´ ：籽晶传导散失热; C QC ：从固-液界面传走的热。 Q = Q +Q ´ 。 C RS C 重要的是直接通过固- 液界面 的热流，即：Q 、Q 、Q 。 L F C 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 3-2 熔体的晶体生长 晶体稳定生长时，在生长的固-液界面上保持热平衡， 即在单位时间内 Q +Q =Q L F C 设生长晶体的截面积为A ，生长速度为f ，相变潜热 为~ ，晶体密度为d ，结晶放出的相变潜热Q H (J g ) F ~ QF fAd H ⎛dT ⎞ 从熔体传到界面的热量Q 为 QL K L ⎜ ⎟A L ⎝dZ ⎠L 从固-液界面向晶体传走的热量QC为 QC K S ⎛⎜dT ⎞⎟A