变温霍尔实验2010详解.pptVIP

变温霍尔实验 物理与电子学院 一、引言 1879年美国物理学家霍尔（Hall）在研究通电导体在磁场中受力情况时，发现在垂直于磁场和电流的方向上产生了电动势，这种电磁效应叫做Hall效应。 在半导体材料中，Hall效应比金属中大几个数量级，引起了人们的深入研究。直到现在，Hall效应仍是研究半导体性质的重要实验方法. 通过Hall效应可以得到半导体材料的导电类型、迁移率、载流子浓度等重要参数。 另外，利用Hall效应可以制造测量磁感应强度的特斯拉计和电磁无损探伤器件。 二、实验目的 了解半导体中霍尔效应的产生机制。 通过实验数据测量和处理，判别半导体的导电类型，计算室温下样品的霍尔系数、电导率、迁移率和载流子浓度。 掌握变温条件下霍尔系数和电导率的测量方法，了解两者随温度的变化规律。 三、实验原理 Hall效应是测量半导体载流子参数的重要实验手段。根据半导体导电理论，半导体内部载流子有两种产生机制，分别是本征激发和杂质电离。 本征激发 半导体共价键上的电子受到热激发或光辐照，吸收能量跃迁到导带成为自由电子，同时在价带留下一个导电的空穴，这种由半导体本身靠热激发产生电子-空穴对的过程，称之为本征激发。本征激发过程中电子浓度和空穴浓度应相等。纯净半导体（本征半导体）主要靠本征激发获得一定的导电能力。 实验原理 杂质电离 室温条件下，本征半导体的导电性能很差，可以通过掺入受主或施主杂质的方法提高半导体的导电能力。由受主杂质电离提供空穴导电为主的半导体材料称为p型半导体；以施主杂质电离提供电子导电为主的半导体材料称为n型半导体。 实验原理 实验原理 实验原理 实验原理 实验原理 上述模型过于简单.根据半导体输运理论，考虑到载流子速度的统计分布以及载流子在运动中受到散射等因素，在霍尔系数的表达式中还应引入一个霍尔因子A。则霍尔系数应该修正为： 实验原理 其中A的大小与散射机理及能带结构有关。 在弱磁场条件下，Si、Ge等常用半导体在室温时，A取为1.18 ；在较低温度时，A取为1.93 对于高载流子浓度的简并半导体或强磁场条件下，A值取1 对于晶格和电离杂质混合散射情况，一般取文献报道的实验值 实验原理 对于电子、空穴混合导电的情况，在计算时应同时考虑两种载流子在磁场下偏转的效果.对于球形等能面的半导体材料，可以证明 实验原理 实验原理 上述原理总结：通过霍尔电压、样品厚度、电流、磁场强度等已知（或可测）量得到霍尔系数,由符号确定导电类型。 四、实验仪器 包括测量线路、计算机数据采集系统、电磁铁、变温设备、特斯拉计、恒流电源等。 实验仪器 样品电极和等效测量电流 实验仪器 室温测量 变温测量 样品温度由77K到420K范围之间连续变化。样品放入装有液氮的杜瓦瓶内，冷到77K后，再放入磁场测量，同时样品外紫铜套绕有加热用的电阻丝，可进行高温测量。 五、实验内容 1.测量室温下锗样品的霍尔系数 把样品置于电磁铁两磁极间的中心，样品与磁场方向垂直，磁场强度B固定为0.2T.样品电流设定为1mA(3、4两电极间).首先在磁场正向、电流正向条件下，测1、2电极间的电压(即UH)正负。然后改变磁场和电流方向，测四次，求其绝对值的平均值得到霍尔电压。 实验内容 2、测量室温下锗样品的电导率 不加磁场条件下,样品电流设定为1mA(3、4两电极间)，测量U34。电流换向后再测一次,取两次绝对值的平均值，得 U34，即可计算电导率。 实验内容 3.测量变温霍尔系数 把样品架连同样品放入装有液氮的杜瓦瓶内，冷却到77K，然后再将样品架放入磁场中固定。由计算机控制，自动测量随样品自动升温过程的霍尔系数，并测量高温霍尔系数。 实验内容 4.测量变温电导率 把样品架连同样品放入装有液氮的杜瓦瓶内，冷却到77K，然后取出并固定。再由计算机控制，自动测量随样品自动升温过程的电导率。 实验内容 5、数据处理 判断样品的导电类型. 计算室温下的霍尔系数及电导率，并计算样品的载流子浓度和霍尔迁移率. 由变温测量的数据，做出以下几条随温度变化的曲线 六、霍尔效应中的副效应 在霍尔系数的测量中，会伴随一些由热磁效应、电极不对称等因素引起的附加电压，这些电压叠加在霍尔电压上影响了测量的准确性。因而测量过程可以改变磁场B和电流I的方向，进行多组测量，并取平均值，以减小测量误差。 七、数据分析 数据分析 对于本征半导体，或是温度在本征范围内的杂质半导体，因n=p，RH0，随着温度的升高，n和p都会增大，RH的绝对值减小。 P型半导体，当温度在杂质导电范围内，导带中的电子很少，pnb’，因此RH0,温度升高后