硅光电池伏安特性指南.pptVIP

* 实验7.4 硅光电池伏-安特性的研究 一.实验目的 （p198~200） 1.了解硅光电池的工作原理。 2 . 测定硅光电池的伏-安特性。 二. 实验原理 1.晶体的能带 半导体能带结构 空带 价带 禁带 2.pn结及单向导电性 pn结示意图 pn结正向导通 单向导电性 pn结反向阻流 -饱和电流 -光生电流 V -pn结两端的电压 T -绝对温度 3. 实验原理 + 入射 光 p 型硅受光层 n 型硅基片层 硅光电池结构示意图 + 入射 光 p 型硅受光层 n 型硅基片层 当硅光电池处于零偏时， 流过pn结的电流 当硅光电池处于反偏时， 流过pn结的电流 三. 实验仪器 四. 实验内容 1.硅光电池零偏和反偏时，测定其输出电压与输入光强的关系。 2.硅光电池输出端连接恒定负载时，测定光电池输出电压与输入光强的关系。 3.硅光电池伏安特性测定 五. 注意事项 注意接线正、负。 六. 实验数据处理 1.硅光电池零偏和反偏时，测定光电池输出电压与输入光强的关系。 以光电池输出电压为纵坐标，发送光强为横坐标，分别作零偏和反偏时曲线。