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高等计算机系统结构;存储系统的扩展图示;Processor-Memory Performance Gap:(grows 50% / year);主存系统的性能;主存性能;增加带宽 ?? 交叉访问（Interleaving）;主存性能;独立存储体;避免体冲突;中国余数定理 整数ai 和 bi 满足下列规则： 并且如果i ? j时 ai和aj互质， 那么整数x只有唯一结果 (确定映射): 体号 = b0, 体数 = a0 (本例为 3) 体内地址 = b1, 体内字数 = a1 (本例为 8) N个字编址为 0 到 N-1, 质数体数, 字数为2的幂次;存储技术;随机存储器(RAM)技术;静态RAM单元;典型的SRAM组织: 16字?4位;为了将新值写入存储单元: 我们需要同时驱动两边 每次只能写入一个存储字 增设另外一对位线 (w 和 w） 可以同时进行读和写;;典型SRAM的逻辑图;典型的SRAM定时;进一步分析SRAM单元;SRAM的问题;SRAM的问题 (续);4管RAM单元;单管单元;DRAM引论;;典型的DRAM组成;典型DRAM的逻辑框图;DRAM 写操作定时;DRAM 读操作定时;DRAM 读操作定时;周期时间 与 访问周期;计算机中的主存系统;主存访问过程;Need for Error Correction!;DRAM技术的发展Throughput vs. Latency;快速页模式(Fast Page Mode, FPM)DRAM;快速页模式操作;快速页模式操作;EDO DRAM(Extended Data Out);Burst EDO DRAM;SDRAM(Synchronous DRAM);SDRAM(Synchronous DRAM);SDRAM read;SDRAM performance;DDR SDRAM;DDR-SDRAM Timing Diagram;SDRAM的Bank和内存规范;RAMBUS(RDRAM);RAMBUS存储架构;RAMBUS的读操作;RAMBUS构造全貌;RAMBUS vs.SDRAM－系统连接;RAMBUS vs.SDRAM－性能;RAMBUS vs.SDRAM－封装;DDR II SDRAM;DDR3 SDRAM;Direct RAMBUS(DRDRAM);其它DRAM—ESDRAM (Enhanced SDRAM), Ramtron;其它DRAM—ESDRAM (Enhanced SDRAM), Ramtron;其它DRAM—VCDRAM (Virtual Channel DRAM,NEC);其它DRAM—FCDRAM (Fast Cycle DRAM, 富士);其它DRAM—MDRAM (Multibanked DRAM) MoSys 1T-SRAM;其它DRAM—RLDRAM (Reduced Latency DRAM);各种DRAM的性能比较;The Real World DRAM Interfaces;PCB板的Path Length;DRAM Research Areas;Choices for Future;;主存系统模型;主存系统的研究;Embedded DRAM;虚拟存储系统;虚拟存储系统设计的基本问题;页式存储管理;进程页表;虚实地址变换机制MMU(mem management unit);两级页表变换;快表TLB(Translation lookaside buffer);主要的虚拟存储实现方式;虚拟存储的主要组成;MMU;TLB;TLB（续）;Table walking;Table Walking（续）;相关研究;请求页式管理与存储保护;虚拟存储与存???保护;Virtual Machine;Virtual Machine;System Virtual Machine;Virtual machine 分类;System Virtual Machine;;Virtual Machine;Virtual Machine Monitor;Cloud Computing