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清华模电ppt课件第3讲_场效应管整理版
第四节 场效应晶体管(FET);(2)工作原理 ;①UDS决定耗尽层的楔形程度;结型场效应管的工作原理;当 且 时,耗尽层很窄,导电沟道最宽。;②当 固定时, 决定耗尽层的楔形程度。 ; 栅漏电压 ,所以当 逐渐增大时, 逐渐减小,靠近漏极一边的导电沟道必将随之变窄。 ;(1)转移特性及特征方程;N·JFET的特性曲线;P·JFET;N沟道结型场效应管的结构示意图 ;二、绝缘栅场效应管(MOS管);(1)结构与符号 ;(2)N沟道的形成;(2)N沟道的形成; ③ 时,来源于外电场负极上的负电荷抵消一部分SiO2中原有的正电荷,使其数目减少,沟道变窄,沟道电阻增加,从而漏电流ID成指数规律减小。; ④ 时,SiO2层中的正电荷全部被负电源中和,N沟道中电子全部消失,也就是说N沟道不存在了,沟道电阻为无穷大,漏电流 ,管子截止(夹断)。 ;(3)特性曲线及工作原理 ;*2 N沟道增强型绝缘栅场效应管;(2)工作原理;(3)特性曲线;增强型NMOS管的特性曲线 ;*3 P沟道绝缘栅场效应管(PMOS管);三、场效应管的主要参数;2 微变等效电路及其参数;①在漏极特性上确定gm;四、场效应管和双极型三极管的比较
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