射频磁控溅射低温制备ito薄膜及hit电池的退火分析-annealing analysis of ito thin films and hit cells prepared by radio frequency magnetron sputtering at low temperature.docxVIP

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2018-07-31 发布于上海
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射频磁控溅射低温制备ito薄膜及hit电池的退火分析-annealing analysis of ito thin films and hit cells prepared by radio frequency magnetron sputtering at low temperature.docx

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射频磁控溅射低温制备ito薄膜及hit电池的退火分析-annealing analysis of ito thin films and hit cells prepared by radio frequency magnetron sputtering at low temperature

为11.11％的单面HIT电池。关键词：射频(RF)磁控溅射；ITO薄膜；HIT电池；退火处理IIAbstractHIT(Hetero-junctionwithintrinsicthin-layer)solarcellscombiningtheadvantageofcrystallinesiliconcellsandthin-filmsiliconcellsachievethepurposeoflowcostandhighefficiency.ThispapermainlystudiesthepreparationofITOfilmsatlowtemperaturewithRFmagnetronsputteringandtheeffectofannealingtreatmentofintrinsichydrogenatedamorphoussilicon(a-Si:H)layertoHITsolarcells.（1）1)Astheupperelectrodeofsolarcell,thephotoelectricpropertiesofITOfilmsandlow-temperaturepreparationhaveimportantinfluenceonsolarcells.ThedepositionparametersofO2/Arflowratio,sputteringpower(P),sputteringpressure(Pg),depositiontemperature(Ts)andthetarget-substratedistance(D)arealloptimizedonebyoneandtheimpactonthechangeofthedepositionparametersofthinfilmsonitsXRD,SEMandphotoelectricproperties.Thedependenceofthemicrostructureandconductivityonthechangesofparametersisgreaterthanthelighttransmittance.ThelargerO2/Arflowratio,thebetterthecrystallinity,theresistivityfirstlydecreasesandthenincreases;sputteringpowerincreases,thepreferredorientationofthinfilmschangefrom(222)to(400),theresistivitycontinuedtodecline;thetemperatureof100℃,theresistivityreachestheminimum;afterannealing,thepreferredorientationofthinfilmsis(222)and(400)andthecrystallinityandconductivityareallimproved,therebythetransmittancebasicallyhasnoobviouschange.Theresultsshowthat,theoptimumprocessparametersforITOfilmdepositionare:O2/Arflowratioof0.1/25,sputteringpowerof210W,sputteringpressureof0.2Pa,substratetemperatureof100℃andsubstrate-targetdistanceof2.0cmandannealedinArfor60minat200℃.TheaveragetransmittanceofthepreparedITOfilmsinthevisibleregionis89.4%andtheresistivityis3.8×10-4Ω·cm.2)Whendepositionconditionsandthicknessoffilmareallidentical,thedifferencesonthemicrostructureandphotoelectricpropertiesofthetwokindsoffilmspreparedbyDCandRFmagnetronsputteringbymeansofSEM,XRD,conductivityandtransmittance，respectively.Thentheyallbeappliedtosimpleheterojunctionsolarcellandbecompared.Inthisexperiment,acomparis