光芯片-金宇.PPT

1.连续波激光技术：解决光在芯片内传导问题 2.混合硅激光技术：令硅“自主发光” 3.硅基雪崩光电探测器：利用半导体工艺生产 写在最后 * 光芯片 光信81 金宇 早在2007年，Intel就提出万亿级计算将进入桌面的构想，并同时设立了一个雄心勃勃的“万亿级计算(Tera-scale computing)”远期项目。与GPU通用加速不同，万亿次计算同时针对桌面和专业应用，它将为PC用户带来超乎想象的体验 比如未来的游戏可以利用多个摄像头识别你与你的动作，接着提取出骨骼模型，利用光线追踪技术创建出高度逼真的虚拟模型，让你成为虚拟游戏里面的“真实角色”。实现用户与虚拟环境的高度整合， 研究人员在基于性能、芯片面积和能耗等相关因素后，确定将采用二维网状网络作为万亿级芯片的片上互连方案。这个方案兼顾能源消耗、晶体管开销和传输性能，但它仍然只是权宜之计。 2008年10月，Intel公开展出首款80核处理器原型：Teraflop Research Chip，它也是Intel公司在“万亿级计算”研究领域内取得的最新成果。 Intel雄心勃勃计划用光传输来代替电子传输，以彻底解决超多核处理器间的核心通信问题─光传输可以轻松做到TB/s的总带宽和数百GB/s的核心直连，同时功耗、发热极低，晶体管占用很小，是超多核处理器的最佳选择。我们必须注意，光传输并不是纯粹的构想，Intel在多年前就认为现有的电路技术将会遭遇瓶颈，光传输将取而代之。为此，Intel与加州大学圣芭芭拉分校联手进行硅光技术的基础研究，双方致力于将光传输与半导体硅技术结合起来，并获得斐然成果。Intel希望在未来的万亿级处理器中，全面采用硅光传输来代替现有的电路传输。 最近几年来定的一些突破性的成果 在2005年2月份，Intel就发布了一项名为“连续波激光(continuous wavesilicon laser，CWlaser)”的硅-光混合技术，这项技术可利用标准半导体工艺制造出可驱动连续光波的硅芯片组件，实现硅片与激光技术的结合。 连续波激光技术在硅芯片上成功地建立了光波导路径 对红外光来说，半导体硅材料却完全透明，可以采用红外光来作为数据传输的媒介 利用“拉曼效应(Raman effect)”来实现光信号的放大。在硅片中蚀刻出“波导(waveguide)”。对红外线光来说，硅材料的波导就好比是透明的玻璃光纤 。 硅片本身无法产生红外光，Intel的研究人员就利用了一个外部光源将红外激光导入芯片内、产生连续完整的激光束。 在前面的连续波激光项目中，Intel研究人员必须借助外部光源才能将红外光导入到硅片，但在半导体工艺中，导入外部光源并不具可行性。显然，如果要让光子代替电子在芯片内流动，唯一的途径就是让硅材料能够自主发光。 Intel与美国加州大学圣芭芭拉分校(UCSB)的研究人员联手攻关这个项目。2006年9月，双方宣布研发成功名为“混合硅激光(Hybrid Silicon Laser)”的硅光混合技术，打开了迈向硅光混合计算的大门。 作为项目的负责人，芭芭拉分校电气和计算机工程学教授约翰·鲍尔斯(John Bowers)强调该技术的革命性意义：“混合硅激光器能够用于晶圆级、半晶圆级和芯片级的应用，将大规模光学器件与硅平台有机结合起来，最终实现硅光子器件的低成本和大批量制造，这将大幅度降低光传输技术的应用门槛” 如图 拥有25个混合硅激光器的硅片光传输系统，该系统可实现40Gb/s带宽 连续波激光技术与混合硅激光技术成功地解决了光信号的产生与传输问题，但要让光子在芯片内部代替电子，必须拥有高效率的光电转换手段，否则无法实现光子与电子的对接─毕竟在核心内部，计算信号还是以电子形式存在。也就是说，Intel还需解决光探测的问题。 2008年12月8日，新的喜讯到来：Intel宣布在硅基雪崩光电探测器(Silicon-based AvalanchePhotodetector)研究方面实现了创纪录的进展，新的研究成果使用硅和半导体工艺实现了有史以来最高的340GHz“增益-带宽积”。这也意味着硅光芯片的最后障碍获得圆满解决，光信号代替电信号将成为真正意义上的现实 对于硅光电探测技术我们并不陌生，数码相机的CCD/CMOS感光元件、太阳能电池，都是硅光电技术的实际应用，这些产品所用的是传统的光电探测器。 “雪崩”光电探测器是在原有的半导体中加入了“吸收层”，在倍增区施加电场，通过吸收层一个光子激发的一个电子来到倍增区，经过系列电离化后产生10～100倍的电子 现有的Ⅲ-Ⅴ族雪崩探测器是用于传统光通信领域，这些产品现在已经被广泛采用，但它们无法采用硅半导体工艺进行生产。此次Intel所研发的