2011-LED-未来的明星.pptVIP

LED照明 --照明领域的又一次革命 照明是以人们的生活、活动为目的对光的利用，如： ① 用光照亮可视物体及周围环境； ② 使用光作用于人的情感和烘托气氛； ③ 通过信号、标识、展板及电气标识等传 达信息，突出显示光源自身； ④ 不仅使用可见光，也可使用紫外线、红外 线。 一、人类照明的历史 火—人类的文明 灯—延续历史几千年 二、电光源的历史 1879年爱迪生改进白炽灯 荧光灯将电光源带入新天地 三、半导体发光二极管—— LED 什么是发光二极管（LED）？ 发光二极管是由数层很薄的搀杂半导体材料制成，一层带过量的电子，另一层因缺乏电子而形成带正电的“空穴”，当有电流通过时，电子和空穴相互结合并释放出能量，从而辐射出光芒。 P-N结发光原理 LED的伏安特性 亮度与电流关系 LED的驱动 LED光源的特点 电压：LED使用低压电源，供电电压在6-24V之间，根据产品不同而异，所以它是一个比使用高压电源更安全的电源，特别适用于公共场所。 效能：消耗能量较同光效的白炽灯减少80% 适用性：很小，每个单元LED小片是3-5mm的正方形，所以可以制备成各种形状的器件，并且适合于易变的环境 稳定性：10万小时，光衰为初始的50% 响应时间：其白炽灯的响应时间为毫秒级，LED灯的响应时间为纳秒级 对环境污染：无有害金属汞 LED的发展历史 1965年世界上的第一只商用化LED诞生，用锗制成，单价45美元，为红光LED，发光效率0.1 lm/w 1968年利用半导体搀杂工艺使GaAsP材料的LED的发光效率达到1 lm/w, 并且能够发出红光、橙光和黄光 1971年出现GaP材料的绿光LED，发光效率也达到1 lm/w LED的发展历史 80年代，重大技术突破，开发出AlGaAs材料的LED，发光效率达到 10 lm/w 1990年到2001年，AlInGaP的高亮度LED成熟，发光效率达到 40—50 lm/w 1990年基于SiC材料的蓝光LED出现，发光效率为0.04 lm/w 90年代中期出现以蓝宝石为衬底的GaN蓝光LED，目前以蓝宝石衬底和SiC衬底为主，预计未来市场也将不断变化。 四、LED生产中的关键技术 半导体材料的分代 以硅Si为代表的半导体材料为第一代半导体材料 以砷化镓GaAs为代表的化合物半导体材料为第二代半导体材料 以氮化镓GaN为代表的宽带隙化合物半导体材料为第三代半导体材料 GaN半导体材料特点 高温特性，在300℃正常工作（非常适用于航天、军事和其它高温环境） 耐酸、耐碱、耐腐蚀（可用于恶劣环境） 高压特性（耐冲击，可靠性高） 大功率（对通讯设备是非常渴望的） GaN外延片生产 通过MOCVD进行GaN单晶膜外延生长 用蓝宝石为衬底材料 用高纯氨气提供氮源 用金属有机源提供镓、铟、铝源 通过金属有机源化学气相沉积的方法 进行生长 方大集团于2001年9月在国内第一个生产出GaN基LED外延片 方大集团6X2MOCVD设备 GaN基LED芯片生产 通过几十道工序，将GaN外延片加工成为LED芯片，标准芯片的尺寸为0.3X0.3mm一片2”外延片可以加工10000多颗LED芯片 GaN基蓝绿光LED芯片 GaN基大功率蓝光LED芯片 GaN半导体光电器件应用 蓝、绿光LED 全彩色大屏幕 交通信号灯 背光源、仪器仪表指示灯 景观光源 五、半导体照明的来临 优异的性能 白光LED 固体冷光源，效率高，绿色环保 寿命长，理论寿命可以达到10万小时 低电压工作 是照明领域的又一次革命 白光LED的构成方式 基于蓝光LED，通过荧光粉激发一个黄光，组合成为白光 通过红、绿、蓝三种LED组合成为白光 基于紫外光LED，通过三基色粉，组合成为白光 美国国家半导体照明计划 美国能源部设立的“国家半导体照明研究计划 (National research program on semiconductor lighting) ”被列入国家“能源法案”，由国家能源部资助，国防先进研究计划总署（DARPA）和光电工业发展协会联合（OIDA）执行，共有12个国家重点实验室、公司和大学参加，美国采取各种激励措施加强大学、企业、国家实验室的合作关系。2000-2010年耗资5亿美元发展半导体照明产业。主要研究内容是降低LED成本和提升LED转换效率，GaN材料的固体物理学问题，相关MOCVD工艺，低缺陷密度衬底，优化器件结构等。该计划的相关计划、时间表及进程分别如下表和下图所示。