半导体结型光电器件课件.pptVIP

生活家饮食保健孕期选择食用油的学问邢台市第四病院罕见护理应急预案猪气喘病综合防制技术动物营养系列理想蛋白与氨基酸模式的研究进展皮肤病的诊断包括病史体格检查和必要的实验室检查我国有关食物添加剂营养强化剂食物新资本的治理律例与标准 第六章 半导体结型光电器件 第一节 结型光电器件原理 p n E 图6.1 p-n结的形成 一、热平衡状态下的p-n结 1、p-n结形成和几个物理参数 形成过程： E p n 图6.2 p-n结的正偏 p n E 图6.3 p-n结的反偏 设p-n是两种材料直接接触形成。无光照下，p-n结在热平衡状态下，漂移电流和扩散电流相等，净电流为零。根据半导体物理理论推导： 势垒高度： (6.1.1) 结区宽度： (6.1.2) 式中k为波尔兹曼常数，T为绝对温度，NA,ND分别为p 区和n区掺杂浓度，ni为本征载流子浓度，V为外加电压,A为结区截面积。 p-n结电容： (6.1.3) (6.1.4) 2、p-n结电流方程 外加电压V时，p-n结平衡被破坏，此时流过p-n结的电流方程： 第一项 I0eqv/kT：表示正向电流，从p流向n端，与外加电压V有关 第二项 I0：表示反向饱和电流 二、光照下的p-n结： 1、p-n结光电效应和两种工作模式 1)p-n结光电效应 图6.4 p-n结的光电效应 p n 2)两种工作模式