半导体器件原理与工艺器件1.ppt

瞬态关断特性-2 载流子的消失有一定时间: 复合 漂移 存储延迟时间 考虑p+n突变结 电流连续性方程： 存储延迟时间-1 从0+到ts积分: 存储延迟时间-2 少子寿命的测量 记录器件的瞬态关断过程中的存储延迟时间, 然后就可用前式计算 瞬态开启特性 结电压从反偏迅速到0偏, 再正偏 i(t) IF t xn Pno 瞬态开启特性-1 分离变量, 积分 瞬态开启特性-2 稳态时 上升过程中: 小结 瞬态关断特性 在准中性区储存的少子必须消除, 需要时间, 导致PN结上电压不能突变 瞬态开启特性 准中性区的少子从“欠”到“过”,需要时间, 导致PN结上电压不能突变 * * * * * * * 电子电流 P型侧 PN结电流 PN结电流与温度的关系 载流子电流 准中性区多子电流 与理想情况的偏差 大注入效应 空间电荷区的复合 空间电荷区的产生与复合 正向有复合电流 反向有产生电流 空间电荷区的产生与复合-1 反向偏置时, 正向偏置时, 计算比较复杂 VA愈低，IR-G愈是起支配作用 VA?Vbi时的大电流现象 串联电阻效应 q/kT Log(I) VA VA?Vbi时的大电流现象-1 大注入效应 大注入是指正偏工作时注入载流子密度等于或高于平衡态多子密度的工作状态。pn≥nno VA?Vbi时的大电流现象-2 VA?Vbi时的大电流现象-3 VA越大, 电流上升变缓 PN结的击穿特性 电流急剧增加 可逆 雪崩倍增 齐纳过程 不可逆 热击穿 雪崩倍增击穿 一个载流子 的产生 雪崩击穿条件 雪崩击穿电压与掺杂浓度的关系 耗尽层中达到临界电场时,将发生击穿 雪崩击穿电压与半导体外延层厚度的关系 P+ N N+ E(x) X 扩散结结深对击穿电压的影响 结的形状 平面结 柱面结 球面结 改善措施 深结扩散 磨角法形成台面结 分压环 表面状态对击穿电压的影响 雪崩击穿通用公式 单边突变结： 线性缓变结： 硅： 扩散结的雪崩击穿电压判断条件： 考虑边缘效应的通用公式： 齐纳过程 产生了隧穿效应 E 隧道穿透几率P： 隧道长度: 隧道击穿: VB4Eg/q 雪崩击穿：VB6Eg/q 两种击穿的区别 掺杂浓度的影响 外因如光照、离子轰击引起空间电荷区的电子、空穴增加，产生倍增效应 温度的影响 隧道效应具有负温度系数 雪崩击穿具有正温度系数 PN结二极管的等效电路 小信号加到PN结上 ~ + - va VA + - P N Rs G C 反向偏置结电容 也称势垒电容或过渡区电容 反向偏置结电容-1 反向偏置结电容-2 耗尽近似下线性缓变结的空间电荷区电荷总量 参数提取和杂质分布 CV测量系统 VA 1/C2 Vbi 扩散电容 扩散电容-1 表现为电容形式 扩散电容-2 扩散电容与正向电流成正比 小信号特性 ——器件处理连续波时所表现 出来的性能。 工作频率低，不考虑电容效应时， 小信号特性-1 级数展开 小信号等效电路 一维连续性方程： Pn’表示为稳态值与交变分量之和 得到：id1与va1之间满足线性变化关系 PN结的开关特性 理想开关电路 RF RR VF VR vA(t) i(t) -0.1IR -IR IF ts trr i(t) t vA(t) t 半导体器件 半导体物理基础 PN结 BJT MOSFET JFET/MESFET简介 PN结杂质分布 PN结是同一块半导体晶体内P型区和N型区之间的边界 PN结是各种半导体器件的基础，了解它的工作原理有助于更好地理解器件 典型制造过程 PN结杂质分布 下面两种分布在实际器件中最常见也最容易进行物理分析 突变结: 线性缓变结: 浅结、重掺杂（1um） 深结（3um） 或外延的PN结 PN结中的能带 PN 内建电势 内建电势 PN结的内建电势决定于掺杂浓度ND、NA、材料禁带宽度以及工作温度 能带 内建电势 电场 Poisson方程 电荷和电势分布满足Poisson方程 在中性区: 耗尽近似 耗尽层模型 在耗尽区P型一侧, N型一侧, 突变结耗尽区的电场与电势分布 耗尽近似 Possion方程： 电场分布 积分一次： ?(x) -xp xn 电势分布 由微分方程： 边界条件： 设在-xp处V=0 xn处V=Vbi 再积分一次： 电势分布 N型侧， X=0处，有 耗尽层宽度 电场随x线性变化，在x=0时达最大值： 耗尽层宽度 VA?0条件下的突变结 外加电压全部降落在耗尽区，VA大于0时，使耗尽区势垒下降，