第二讲电力电子器件概述一.ppt

* 1.3.4 晶闸管的派生器件 有快速晶闸管和高频晶闸管。 开关时间以及du/dt和di/dt耐量都有明显改善。 普通晶闸管关断时间数百微秒，快速晶闸管数十微秒，高频晶闸管10?s左右。 高频晶闸管的不足在于其电压和电流定额都不易做高。 由于工作频率较高，不能忽略其开关损耗的发热效应。 1）快速晶闸管（Fast Switching Thyristor—— FST) * 1.3.4 晶闸管的派生器件 2）双向晶闸管（Triode AC Switch——TRIAC或Bidirectional triode thyristor） 图1-10 双向晶闸管的电气图形符号和伏安特性 a) 电气图形符号 b) 伏安特性 a) b) I O U I G = 0 G T 1 T 2 可认为是一对反并联联接的普通晶闸管的集成。 有两个主电极T1和T2，一个门极G。 在第Ｉ和第III象限有对称的伏安特性。 不用平均值而用有效值来表示其额定电流值。 DATASHEET * 1.3.4 晶闸管的派生器件 逆导晶闸管（Reverse Conducting Thyristor——RCT） a) K G A b) U O I I G = 0 图1-11 逆导晶闸管的电气图形符号和伏安特性 a) 电气图形符号 b) 伏安特性 将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件。 具有正向压降小、关断时间短、高温特性好、额定结温高等优点。 * 1.3.4 晶闸管的派生器件 光控晶闸管（Light Triggered Thyristor——LTT） A G K a) AK 光强度 强 弱 b) O U I A 图1-12 光控晶闸管的电气图形符号和伏安特性 a) 电气图形符号 b) 伏安特性 又称光触发晶闸管，是利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸管。 光触发保证了主电路与控制电路之间的绝缘，且可避免电磁干扰的影响。 因此目前在高压大功率的场合。 介绍PN结的电导调制效应，电力二极管工作原理、主要参数、分类及选用原则。晶闸管派生器件符号、适用场合。 讲授晶闸管结构、符号、基本原理、主要参数、选用原则。 课前请同学们预习：1.复习模电PN结原理、三极管导通截止原理。 2.查阅普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管的应用场合。 第二节课15分钟讨论对比晶闸管及其派生器件的通断原理、适用场合、主要参数及选用原则 讨论P42习题1-5题 * * Power Diode结构和原理简单，工作可靠，自20世纪50年代初期就获得应用。 快恢复二极管和肖特基二极管，分别在中、高频整流和逆变，以及低压高频整流的场合，具有不可替代的地位。 1.2 不可控器件—电力二极管·引言 整流二极管及模块 * 基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管一样。 由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。 从外形上看，主要有螺栓型和平板型两种封装。 图1-2 电力二极管的外形、结构和电气图形符号 a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号 1.2.1 PN结与电力二极管的工作原理 A K A K a) I K A P N J b) c) A K 1.2.1 PN结与电力二极管的工作原理 N型半导体和P型半导体结合后构成PN结。交界处电子和空穴的浓度差别，造成了各区的多子向另一区的扩散运动（Pervasion Movement），到对方区内成为少子，在界面两侧分别留下了带正、负电荷但不能任意移动的杂质离子。这些不能移动的正、负电荷称为空间电荷（Space Charge）。空间电荷建立的电场被称为内电场（Inside Electric Field）或自建电场（Self Building Electric Field），其方向是阻止扩散运动的，另一方面又吸引对方区内的少子（对本区而言则为多子）向本区运动，即漂移运动（Excursion Movement）。扩散运动和漂移运动既相互联系又是一对矛盾，最终达到动态平衡，正、负空间电荷量达到稳定值，形成了一个稳定的由空间电荷构成的范围，被称为空间电荷区，按所强调的角度不同也被称为耗尽层（Exhaust Layer）、阻挡层（Bar Layer）或势垒区（Barrier Section）。 1.2.1 PN结与电力二极管的工作原理 PN结的正向导通状态 电导调制效应：当PN结流过较大电流时，由于P区注入N区的空穴会大大增加，为维护电中性，N型半导体的的电子也跟着增大，导致导电粒子大幅增加，导致导电性能上升，电阻率下降，即电导率增加的现象。电导调制效应使得PN结在正向电流较大时压降仍然很低，维持在1V左右，所以正向偏置的PN结表现为低阻态 PN结的反向截止状态 PN结的单向导电性，