第3讲存储器及其接口(09).ppt

第三章 存储器及其接口 SRAM存储器组成 SRAM存储器芯片实例（Intel 2114） 以Intel2716（2K×8位）芯片为例 与8位CPU的连接方法： 低位地址线、数据线直接相连； 工作电源VCC直接与+5V电源相连，编程电源通常由开关控制； CE-和OE-信号分别由CPU高位地址总线和控制总线译码后产生，通常采用下图所示的3种方法。 * 存储器概述 半导体存储器 内存的管理 存储器接口技术 主存储器接口 高速缓冲存储器接口 3.1 概述 存储器：计算机中存放指令和数据的设备。 要求：容量大、速度快、成本低 但这三者在同一个存储器中不可兼得 解决：采用分级存储器结构，通常将存储器分为高速缓冲存储器、主存储器和外存存储器三级。 中 央 处 理 器 主 存 外 存 快存 M1 M2 M3 三级存储器的结构示意图 微 型 计 算 机 接 口 技 术 第3章 存储器及其接口 3.2 半导体存储器 半导体存储器的分类 制作工艺可分为：双极型、MOS型 存取方式可分为：SAM、RAM、ROM MOS型 ROM E2 PROM（电可擦PROM） 掩膜ROM PROM（可编程ROM） EPROM（紫外线可擦PROM） SRAM IRAM DRAM FLASH RAM 双极型 SAM型 FIFO（先进先出存储器） CCD（电荷耦合器件） MBM（磁泡存储器） 半导体存储器 第3章 存储器及其接口 3.2 半导体存储器 1.RAM：易失性存储器，随时可以读写 SRAM静态随机存取存储器—— 特点：状态稳定，不需要刷新，速度快，驱动电路简单 缺点：功耗大，集成度低，成本高 第3章 存储器及其接口 RAM由地址译码器、存储矩阵和读写控制电路三部分组成。它能对任意一个地址单元进行读写操作。 SRAM存储单元为R–S触发器 。如六管CMOS静态存储单元 64×64 存储矩阵 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A0 A1 A2 A9 I/O1 I/O2 I/O3 I/O4 CS WE Vcc GND 1 64 16 1 行选择 列I/O控制 列选择 输入数据控制 是一个1K×4位的SRAM 4096个六管存储元电路排成了64×64的矩阵 地址线A3－A8用于行译码，A0,A1,A2,A9用于列译码，每根列选择线同时连接4位 片选：低电平有效 CS和WE通过三态门控制数据的输入和输出 读写控制：低电平为写，高电平为读 DRAM动态随机存取存储器 优点：集成度高，功耗低 缺点：最易失性，需刷新 把几片DRAM安置在一个称作“内存条”的印刷电路板上，通过主板上的标准插件与总线相连。 第3章 存储器及其接口 DRAM由动态存储单元（三管、单管动态存储单元）构成存储矩阵。 它是利用栅电容C或集成电容CS来暂存信号的。 2.ROM：只读存储器 PROM（Programmable ROM） EPROM （Erasable Programmable ROM） E2PROM（Electrically Eeasable …） 第3章 存储器及其接口 3. 快擦写存储器（Flash memory） 与普通的 E2PROM的物理结构基本相同 4. FRAM（Ferroelectric RAM）铁电存储器 非易失性的RAM存储器 读写速度快 “无限次”的擦写 功耗远远低于其他非易失性存储器 3.3 内存的管理 80X86物理存储器的基本存储单元为1字节，最大物理空间为232B=4GB。Pentium以上处理器的最大物理地址空间为64GB。 多字节数据的存放规则是低字节进入低地址，高字节进入高地址，且低字节的地址是多字节数据的访问地址。 第3章 存储器及其接口 CPU不同的工作方式，就有不同的物理存储器寻址法： 16位微机的内存管理只有一种方式：实地址方式。 32位微机的内存管理有：实地址方式、虚地址保护方式、V86（虚拟8086）方式。 是一种模拟仿真8086方式，寻址过程和实地址方式相同 微 型 计 算 机 接 口 技 术 第3章 存储器及其接口 1. 实地址方式 每个存储单元的地址，可以用20位物理地址表达，也可以用“段基址：偏移量”表示。 20位物理地址=16位段基址×10H+16位偏移量 32位地址线中只有20位地址线A19~ A0起作用，所以最大物理空间只有220B=1MB 地址编号×××0 0000H~ ×××F FFFFH，4G的其它空间没有作用。 段地址仍然为16的倍数，每个段的最大地址空间为64KB；段寄存器的值是段的起始地址。 说明：实地址方式下仅使用了1MB地址空间，并 不等于物理