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Pbody浓度对VDMOS器件EAS特性影响 　　摘要： 从VDMOS器件EAS测试的原理出发，通过统计实际生产中出现的EAS不良现象，得出EAS测试不良的两种主要现象，一种为EAS测试后器件烧毁，显示PRE-SHORT损坏提示，第二种为EAS测试不通过显示POST-SHORT损坏提示，但器件没有烧毁。分别从器件源胞结构，以及EAS测试的时序上对两种不良现象的产生原因进行分析，得出源胞结构中的寄生电阻RB大，器件的Tf大是造成两种EAS不良的原因，提出通过提高Pbody浓度来降低源胞结构中的寄生电阻RB，并结合TCAD仿真，提出提高Pbody浓度来降低器件的Tf。最后通过对比实验验证不同Pbody浓度对器件EAS特性的影响，得到增加Pbody浓度可以有效提高器件EAS通过率与极限耐量。 　　关键词： VDMOS；EAS特性；Pbody浓度 　　中图分类号：TN386文献标识码：A文章编号：1671－7597（2011）0620063－02 　　0 引言 　　垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管（简称VDMOS），由于具有独特的高输入阻抗，低驱动功率，高开关速度（多子导电器件），优越的频率特性以及低燥声等特点，已经得到十分广泛的应用，作为开关器件VDMOS以其高耐压（一般常用电压在30V到几千伏），低导通电阻等特点广泛应用于功率集成电路以及功率集成系统中，VDMOS器件是武器装备中不可缺少的器件，它为电子设备提供所需的电源与电机设备的驱动[1]。 　　对于功率器件使用者最关心的无疑是器件的可靠性，而EAS（Energy Avalanche Stress）又是反映VDMOS器件使用可靠性的一个重要指标[2]。本文针对EAS测试中出现的主要损坏项进行分析并实验，找出了Pbody浓度与VDMOS器件EAS耐量的对应关系。 　　1 EAS测试原理 　　如1图所示，当N沟道MOSFET（一般使用VDMOS器件均为N沟道MOSFET）处于导通状态时，电子在电压的作用下经由VDMOS的Source流过Drain在测试电路中形成电流回路，如电路中的负载为感性负载，电流成线性增加。 　　 　　图1N沟道VDMOS器件EAS测试线路图 　　当突然关断器件时，感性负载L中蓄积的能量，将继续维持Source与Drain之间的电流，使VDMOS的Drain端电压上升，达到器件的雪崩击穿电压，形成Source-Drain之间的转移电流，泻放掉感性负载中所蓄积的能量［3-4］。器件的EAS能量主要由器件所能承受的Source-Drain电流大小与感性负载的电感量来决定，一般EAS耐量由下面公式来计算： 　　 　　公式（1）中的L为测试电路中感性负载的大小，一般单位为mH，Ias为器件测试时所流经Source-Drain的电流，单位为A，BVDSS为测试EAS时器件Drain端的冲击电压，单位为V，VDD为测试时器件Source-Drain端的输入电压，单位为V。 　　VDMOS一般作为开关器件，在使用过程中容易进入雪崩状态，EAS可以用来衡量器件的抗雪崩击穿能力，器件的EAS越大，抗雪崩击穿能力越强，器件的使用可靠性越好。 　　2 EAS损坏现象以及原因分析 　　2.1 EAS损坏现象 　　实际生产中测试EAS使用的是日本Tesec-3702测试仪，根据实际生产中EAS测试不良产品分布，得到图2。 　　从Pareto中可以看出，目前产品主要存在以下两种EAS测试不良现象，第一种是测试后器件烧毁（显示PRE-SHORT），占总不良产品中61.9% 　　的比例；第二种是测试不能通过（显示POST-SHORT），但器件没有烧毁，占总不良产品中的38.1%的比例。 　　 　　图2EAS测试不良品Pareto图 　　从Pareto中可以看出，目前产品主要存在以下两种EAS测试不良现象，第一种是测试后器件烧毁（显示PRE-SHORT），占总不良产品中61.9%的比例；第二种是测试不能通过（显示POST-SHORT），但器件没有烧毁，占总不良产品中的38.1%的比例。 　　2.2 EAS损坏原因分析 　　 　　图3常规参数短路图图4芯片开封后表面铝层烧毁 　　以上两种不良芯片进行取样分析，使用图示仪测试常规参数（Vth，BVdss，Rsd（on）等）发现第一种不良现象，器件的所有常规参数均显示短路如图3所示，开封芯片后发现器件表面存在明显的铝层烧毁的热斑，如图4所示。而第二种不良现象，器件的常规参数测试均正常，解剖芯片后表面也没有明显缺陷。 　　从器件的源胞结构对于第一种不良现象进行分析，如图5当器件承受反向击穿耐量时，有电流流经Source-Drain之间的Pbody区所形成的反向P-/N+结，因在Pbody区电流路径