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ZnO压敏陶瓷研究进展及发展前景 　　摘 要：本文叙述了ZnO压敏陶瓷材料的最新研究进展，阐述了它的非线性伏安特性，并对该特性作用机理进行了微观解析，概述了ZnO压敏陶瓷材料的发展趋势，并对发展中遇到的问题提出了建议和解决措施。 　　关键词：ZnO；压敏陶瓷；压敏材料；非线性伏安特性 　　1 引言 　　压敏材料是指在某一特定电压范围内材料的电阻值随加于其上电压不同而发生显著变化的具有非线性欧姆特性的电阻材料，其中以ZnO压敏陶瓷材料的特性最佳。ZnO是一种新型的功能陶瓷，具有优良的非线性伏安特性、极好的吸收浪涌电压、响应速度快、漏电流小等优点[1]，被广泛应用于电力系统、军工设备、通讯设备和家庭生活等许多方面。它作为保护元件在过压保护上发挥着越来越重要的作用，因此加强对ZnO压敏陶瓷的深入开发研究具有重要的现实意义。 　　2 ZnO压敏陶瓷研究现状 　　自1968年日本松下公司报道以来，ZnO压敏陶瓷因其优异的压敏特性引起了广泛关注，如今已然成为高新技术领域半导体陶瓷发展的重要一极。经过众多科研工作者近50年坚持不懈的探索，在配方、制作工艺、形成机理及伏安特性的微观解析等方面都进行了系统的研究，从而全面提升了ZnO压敏陶瓷的综合性能。同时还总结出了大量适用于工业生产的制作工艺，扩展了使用范围。 　　在世界范围内，日本生产的功能陶瓷产品占有绝对优势，欧美国家也占有相当的市场份额。与这些发达国家相比，我国对功能陶瓷的研究、生产及应用开始得较晚，在配方、生产工艺、过程控制及产品性能等方面存在较大差距（例如：高纯超细粉料制备技术；先进装备及现代化检测手段；组分设计、晶界相与显微结构控制；新材料、新工艺与新应用的探索[2]），尤其是在产业化方面更甚。近二十年，在现代科技的推动下功能陶瓷技术迅速发展，我国功能陶瓷的生产企业已具有一定的规模（如珠海粤科京华功能陶瓷有限公司，淄博安德浩工业陶瓷公司等企业），但还存在基础研究投入不足，关键性的研究基础仍较薄弱，创新能力不足，缺乏生产高端产品的关键技术等问题。在世界经济结构的调整和我国供给侧结构性改革的情况下，我国的功能陶瓷产业发展面临着巨大的机遇和挑战。 　　3 ZnO压敏陶瓷的伏安特性 　　3.1 ZnO压敏陶瓷非线性I-V特性 　　在正常工作范围内，ZnO压敏陶瓷的I-V关系可以表示为： 　　I=（V/C）α （1） 　　其中，I为通过压敏电阻的电流，V为通过的压敏电阻器两端的电压，C为材料常数，α为非线性系数，它是描述压敏电阻器非线性强弱的物理量，是评价ZnO 压敏电阻好坏的重要指标。 　　由（1）式可知，α值越大，I-V之间非线性越强，ZnO压敏陶瓷的性能就越强。但α不是一个常数，当压敏电流在1 mA附近工作时，压敏电阻器α值可达到最大值（可达到50以上），此时为压敏电阻器的工作区域。 　　3.2 ZnO压敏陶瓷非线性I-V特性形成机理解析 　　ZnO压敏陶瓷是一种电阻值对外加电压敏感的电子元器件，其伏安特性呈非线性，实际制作的ZnO压敏陶瓷的伏安特性曲线如图1所示。 　　Ⅰ区常被称作预击穿区，电流密度在0～0.1 mA/cm2范围，ZnO压敏陶瓷U-I关系呈现纯电阻特征，且呈高值性。Ⅱ区被称作击穿区，电流密度在此区域急速上升，在电压几乎没有变化的情况下，电流密度甚至会有106～107数量级的变化。电流上升速度越快，电压上升速度越慢，该区域的 I-V 曲线越平坦，非线性就越好。该区域是ZnO压敏陶瓷的核心区域，也是其工作区域。Ⅲ区被称作回升区，此区域的电流密度大于103 A/cm2，电压随电流密度的升高而增大，非线性系数慢慢降低直至消失。在该区域ZnO压敏陶瓷非线性变差，逐渐呈现纯电阻特征，此时阻值较与预击穿区时的阻值相比低很多[3-4]。 　　ZnO压敏陶瓷的非线性I-V特性取决于其烧结体的晶界特性，ZnO属六方晶系结构，Zn和O都是按四面体方式成键，晶体结构开放，容易引入杂质。掺入 Bi2O3及其他过渡金属氧化物制成的ZnO压敏陶瓷电子元器件具有优良的非线性 I-V特性，其电阻值通过控制电压可变化1010倍以上。有研究表明，Bi2O3的作用主要是形成氧从外向内扩散的通路，而过渡金属氧化物则形成各种杂质受主态[5]，掺杂作用使得ZnO半导体陶瓷的晶界产生大量的缺陷而形成深的陷阱能级，造成ZnO晶界两端表面能带弯曲，晶界两端各有一耗尽层，形成双肖特基势垒，添加剂阳离子在晶界表面形成受主表面态[6]。 　　4 ZnO压敏陶瓷发展前景 　　孙洪波，邱玉平等人[9]认为，实现电子器件小型化集成化的关键之一是膜结构的压敏电阻的使用，业界对ZnO膜结构材料的研究主要集中在薄膜、厚膜和复合膜三方面，低电位、高非线性系数的ZnO压敏薄膜和高电位梯度、高非线性系数