ZnO材料电子结构模拟计算与特性分析.docVIP

ZnO材料电子结构模拟计算与特性分析.doc

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
ZnO材料电子结构模拟计算与特性分析

ZnO材料电子结构模拟计算与特性分析   摘要: 方向是通过密度泛函理论研究新材料的电子结构性质,对ZnO材料进行第一性原理研究,研究涉及的材料物性包括几何构型、电子结构特性等方面。所使用的是线性化缀加平面波方法的基本理论(LAPW),其中主要内容包括LAPW方法的简要理论和所使用的WIEN2K软件的介绍。具体的描述对ZnO材料的电子结构的计算与分析,并与半导体的典型结构特性相比较,得出结论。   关键词: ZnO;电子结构;密度泛函;LAPW   中图分类号:O4 文献标识码:A 文章编号:1671-7597(2011)0310026-02      0 引言   目前,对复合物理材料的研究仍然是物理学中的重要课题,这就需要我们对于纯材料时的基本电子结构以及其物理和化学性质有准确的把握,这样才能更精确的分析材料复合后,总体电子结构所发生的变化,从而得出其物理化学性质和作用的改变。   ZnO通常存在于红锌矿的矿物质中,它绝大部分是不能溶解于水的,但是可以溶于酸和碱。   在薄膜状态下,ZnO表现出压电效应,这种薄模可以通过阴极真空喷镀的沉积作用产生.锌的氧化物同样也是发光的和感光的材料。   ZnO的能带结构拥有一段奥林匹克般的历史,从1969年开始,每隔四年都会出现一个关于ZnO的研究项目。Rossler在1969年利用Korringa-Kohn-Rostoker计算出了关于ZnO的能带结构。1973年Bloom和Ortenburger   通过实验得到了更准确的能带结构,1977年Chelikowsky发表了第一篇自洽计算得出能带结构的文章[4]。而在本文中,将使用WIEN2k软件,采用密度泛函的线性化缀加平面波的方法计算其能带结构,从而得出材料的电子结构特性。   ZnO材料目前的典型应用有:   1)防止电压过大的变阻器,用于手机之类的设备中;   2)绘画中的色素,中国画中的白色是建立在锌的氧化物基础上的特殊的白色色素;   3)用于陶瓷釉料的融化,他可以起防止细裂纹的作用;   4)橡胶制品的填充物;   5)纸制品的外包装;   6)防晒霜和遮光剂用于防止太阳照射,因为锌的氧化物具有吸收紫外线的能力。   1 基本理论及计算方法   1.1 基本理论   近年来,Hobenberg, Kohn和Sham发展了局域密度泛函理论(LDA)[3]将多电子系统转化为单电子,用此理论对各类半导体和金属材料和结合能、晶格常数、体变模量的计算结果与实验符合得很好,成为近年来电子理论中的一项重要的成就。由于固体实验提供了大量的实验数据,使得能带理论的实用性得到验证,用此理论也由对固体定性的普遍性规律探讨到对具体材料复杂能带结构的计算。在密度泛函近似的框架下有多种计算方法,通常被称为第一原理计算。   1.2 WIEN2K 软件包的主要内容介绍   WIEN软件中使用的LAPW方法是基于密度泛函理论中的一种最精确的计算固体电子结构的方法,是一个基于全势(线性)缀加平面波和局域轨道的方法。这种方法是现在精度最高的密度泛函计算方法之一。WIEN是一个全电子计算软件包,并且考虑了相对论效应。同时它还包括声子、自旋极化、轨道极化和光学吸收的特性。   1.3 计算方法   采用基于密度泛函理论的LAPW方法计算ZnO材料(B4)的电子结构并得出其电子态密度分布图和能带图,交换关联能函数用广义梯度近似(GGA)   描述。   以下列出本论文中所使用的ZnO晶体的结构参数(结构图如图1):   空间群结构:186_P63mc(B4结构)   晶格常数:a=3.24959 b=3.24959c=5   单位:   各原子在空间中所处的位置:   Zn原子:原子序数 30.0;RMT:1.97   第一原子位置:x=0.33333;y=0.666666;z=0.5   第二原子位置:x=0.66666;y=0.333333;z=0   O原子:原子序数 8.0;RMT:1.97   第一原子位置:x=0.33333;y=0.666666;z=0.8819   第二原子位置:x=0.6667;y=0.33333;z=0.3819   在计算中取1000个k状态进行自洽计算   从ZnO的晶体结构可以看出,他是是典型的对称四面体,每一个晶胞包含两个Zn阳离子和两个O阴离子。整个晶体可以看成是沿着C轴依次排列的双层O-Zn粒子群(例如:沿0001方向),晶格常数 c/a=1.602。   2 ZnO材料计算结果与讨论   运用wien2k软件计算出ZnO的能带图,总态密度图,以及原子的分态密度图如下所示:   图8、9分别为O原子S轨道电子态密度分

文档评论(0)

fangsheke66 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档