室温下少数载流子空穴.PPTVIP

Add your company slogan 半导体器件物理基础 材料科学与工程学院 School of Materials Science and Engineering 扩散运动：粒子由高浓度处向低浓度处的净输运。 扩散运动完全是由粒子浓度不均匀所引起，有浓度梯度就有扩散，扩散是一种基本的物质运动形式。 对于一块均匀掺杂的半导体，例如N型半导体，电离施主带正电，电子带负电，由于电中性的要求，各处电荷密度为零，所以载流子分布也是均匀的，即没有浓度差异，因而均匀材料中不会发生载流子的扩散运动。 1.5 载流子的扩散运动 1.5.1 扩散电流密度 扩散流密度—单位时间内通过单位面积的载流子数目 t1时刻在晶体内的某一平面上引入一些载流子，由于载流子热运动的结果，在x=0处原来高密度的载流子要向外扩散，直至载流子均匀分布于整个区域内。 电子 空穴 扩散流密度—单位时间内通过单位面积的载流子数目。 扩散电流密度—通过单位面积的电流（单位时间内通过单位面积的电量），即单位时间内通过单位面积的电量（载流子数目与电荷量的乘积） 当半导体中既有电子扩散也有空穴扩散时，总的扩散电流密度为 q·ΔΦ 既有浓度梯度，又有电场作用 若半导体中非平衡载流子浓度不均匀，同时又有外加电场的作用，那么除了非平衡载流子的扩散运动外，载流子还要作漂移运动。这时扩散电流和漂移电流叠加在一起构成半导体的总电流。 1.5.2 电流密度方程 电子电流密度 空穴电流密度 1.5.3 杂质浓度梯度及其感生电场 在半导体器件的制造过程中，掺入的杂质浓度分布往往是非均匀的，上图n 型为例 电子浓度分布与杂质浓度相同，电子浓度左高右低 电子浓度梯度的存在，导致电子从左向右的扩散运动 左侧电子欠缺，右侧电子过剩，即出现了由电离施主形成的净的正电荷 出现了由净的正电荷指向净的负电荷的电场，即杂质浓度梯度的感生电场 在电场的作用下，电子发生与扩散运动正好相反的漂移运动 对于平衡态半导体，扩散与漂移运动最终达到动态平衡，电子的净输运为零，即 迁移率是反映载流子在电场作用下移动难易程度的物理量， 扩散系数反映载流子存在浓度梯度时扩散难易程度的物理量 显然迁移率和扩散系数都是由材料本身的固有特性决定的，两者之间存在一定的关系是可以理解的。 爱因斯坦关系 表明了载流子迁移率和扩散系数之间的关系 例题 假设T=300K，一个N型半导体中，电子浓度在0.1cm的距离中从1×1018cm-3至7×1017cm-3作线性变化，计算扩散电流密度。假设电子扩散系数Dn=22.5cm2/s。 解 扩散电流密度为 因此，空穴的扩散系数为 解：根据题意，空穴的漂移速率为 例5：室温下少数载流子(空穴)于某一点注入一个均匀的n型半导体中，施加一个50V/cm的电场于其样品上，且电场在100us内将这些少数载流子移动了1cm。求少数载流子的漂移速率及扩散系数。 则空穴的迁移率为 1.6 非平衡载流子 1.6.1 载流子的产生与复合、非平衡载流子 在一定温度下，价带总有部分电子具有足够的能量，跃迁到导带，成为自由电子，同时在价带形成等量的空穴，这样就产生了一定数量的电子——空穴对。同时，导带电子也会落回价带，与空穴相遇而消失，称为载流子的复合。 载流子的产生与复合是一个不断进行的动态过程。在热平衡条件下，半导体中的载流子浓度保持恒定。这就意味着，在热平衡条件下，载流子的产生与复合处于动态平衡。 单位时间单位体积内产生或复合的载流子数分别称为产生率和复合率。产生率（记为G）和复合率（记为R）是相等的， 对于处于热平衡态的半导体，质量作用定律式成立，即 条件：对半导体施加一定的外场，如用高 能光子照射半导体． 过程：部分价带电子吸收光子能跃迁到导带成为自由电子。 结果：同时在价带形成相同数量的空穴。 这种方式产生的载流子称为光产生或光注入的非平衡载流子（也称为过剩载流子）。 电子一空穴总是成对产生的，因此非平衡电子与非平衡空穴的产生率相等 例如在一定温度下，当没有光照时，一块半导体中的电子和空穴浓度分别为n0和p0，假设是N型半导体，则n0p0，当用适当波长的光照射该半导体时，只要光子的能量大于该半导体的禁带宽度，那么光子就能把价带电子激发到导带上去，产生电子-空穴对，使导带比平衡时多出一部分电子Δn，价带比平衡时多出一部分空穴 Δp，且Δn=Δp 。 在一般情况下，注入的非平衡载流子浓度比平衡时的多数载流子浓度小得多。对于N型半导体，Δn远小于n0，Δp远小于n0，满足这个条件的注入称为小注入。 小注入的解释 例 1Ω·cm的N型硅中，n0≈5.5×1015cm-3 ，p0≈3.1×