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//DS18B20_3.H头文件 sbit DQ = P3^3; // 定义DQ引脚为P3.3 /******************************* 延时函数 ******************************** * 功能:在11.059MHz的晶振条件下调用本函数需要24μs ,然后每次计数需16μs **************************************************************************/ void DS18_delay(int useconds) { int s; for (s=0; suseconds;s++); } /******************************* 复位函数 ******************************* * 功能:完成单总线的复位操作。 * 复位时间为480μs,因此延时时间为(480-24)/16 = 28.5,取29μs。 * 经过70μs之后检测存在脉冲,因此延时时间为(70-24)/16 = 2.875,取3μs。 **************************************************************************/ unsigned char ow_reset(void) { unsigned char presence; DQ = 0; // 将 DQ 线拉低 DS18_delay(29); // 保持 480μs DQ = 1; // DQ返回高电平 DS18_delay(3); // 等待存在脉冲 presence = DQ; // 获得存在信号 DS18_delay(25); // 等待时间隙结束 return(presence); // 返回存在信号,0 = 器件存在, 1 = 无器件 } /****************************** 位写入函数 ******************************* * 功能:向单总线写入1位值:bitval *************************************************************************/ void write_bit(char bitval) { DQ = 0; // 将DQ 拉低开始写时间隙 if(bitval==1) DQ =1; // 如果写1,DQ 返回高电平 DS18_delay(5); // 在时间隙内保持电平值, DQ = 1; // DS18_delay函数每次循环延时16μs,因此DS18_delay(5) = 104μs } /**************************** 字节写入函数 ******************************* * 功能:向单总线写入一个字节值:val *************************************************************************/ void ds18write_byte(char val) { unsigned char i; unsigned char temp; for (i=0; i8; i++) { // 写入字节, 每次写入一位 temp = vali; temp = 0x01; write_bit(temp); } DS18_delay(5); } /**************************** 位读取函数 ******************************** * 功能:从单总线上读取一位信号,所需延时时间为15μs,因此无法调用前面定义 * 的DS18_delay()函数,而采用一个for()循环来实现延时。 * ***********************************************************************/ unsigned char read_bit(void) { unsigned char i; DQ = 0; //将DQ 拉低开始读时间隙 DQ = 1; // then return high for (i=0; i3; i++); // 延时15μs return(DQ); // 返回 DQ 线上的电平值 } /**************************** 字节读取函数 ****************

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