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一种基于带隙比较器的过热保护电路 　　摘要：设计了一种基于带隙比较器的过热保护电路。该电路可用于功率集成电路和电源管理芯片中。采用0.6μm BiCMOS工艺对电路进行了仿真。结果表明,该电路对温度灵敏度高，关断和开启温度点受电源电压和工艺参数变化的影响很小。通过比较器的迟滞功能防止了热振荡现象的发生。 　　关键词：带隙比较器；过热保护；BiCMOS 　　 　　1 引 言 　　 　　在功率集成电路和电源管理芯片中，电路消耗的功率往往比较大，在某些异常情况(电源短接、内部短路)下，产生的功耗会急剧增大并使芯片温度持续升高。如果不设置过热保护电路，持续升高的温度将会影响芯片的正常工作，并可能对芯片产生永久性的损害。为了有效地保护芯片，往往需要将过热保护电路集成在芯片内部[1]。本文设计了一种采用BiCMOS工艺的过热保护电路，利用带隙比较器的迟滞功能有效地消除了热振荡。 　　 　　2 常见的过热保护电路 　　 　　图1是传统的过热保护电路[2]，图中Q2是大功率晶体管，QH为过热保护器件，其集电极和功率晶体管Q2的基极及恒流源I0接在一起，DZ为齐纳二极管。 　　图1中，三极管的VBE随温度升高而减小，具有负温度系数。而齐纳二极管的反向击穿电压VZ随温度升高而增大，具有正温度系数。经过电阻R2、R3的分压后，QH的基极电位为： 　　 　　常温下，VH小于QH的BE结导通电压VBEH，故QH截止。随着温度的升高，VZ开始增大，VBE1和VBEH开始减小，由(1)式可知，VH将会变大。当温度升高到某一值时，VBEH下降到比VH小后QH开始导通，流入功率管Q2基极的电流被QH分流了一部分，达到了保护的目的。 　　但图1所示电路存在着一个问题：当温度升高到热关断点时，流入功率管Q2基极的电流减小，芯片温度降低；于是VBEH开始增大，VH降低，使得QH截止，流入功率管Q2基极的电流增加，芯片温度再次升高……该过程不断重复，使芯片在热关断点附近产生热振荡。此外，由于齐纳二极管的反向漏电流比较大，击穿电压一般高于5V，故该电路的功耗将会很大，不符合低压低功耗的发展趋势。 　　图2是采用CMOS工艺实现的过热保护电路示意图[3]。该电路利用工作在亚阈区的MOS管产生正比于绝对温度的（PTAT，Proportional To Absolute Temperature）电流IPTAT。当温度升高时，R1上的压降也随之升高。当温度升至热关断点时，VH使Q1导通，OUT端的输出电压发生跳变，芯片的功率管将会被关断，达到了保护的目的。该电路结构简单，但利用工作在亚阈区的MOS管产生的PTAT电流精度不高，过热保护点不够稳定，易受电源电压的影响。 　　 　　3 基于带隙比较器的过热保护电路 　　 　　图3是本文所设计的过热保护电路，该电路由启动电路、PTAT电源和带隙（Bandgap）比较器三部分构成。 　　 　　3.1 PTAT电源 　　PTAT电流与绝对温度成正比，能精确表征温度的变化。图3中MP4、MP5、Q3、Q4和R3构成了产生PTAT电流的主体电路，Q3发射极面积是Q4发射极面积的8倍。电容C0可以提高PTAT电源的稳定性，其值越大稳定性越好，但启动时间会延长且占用更大的芯片面积。 　　忽略晶体管的基极电流，流过Q3和Q4的集电极电流IC3和IC4相等，而晶体管的反向饱和电流IS与发射极面积成正比，所以IS3 = 8IS4。由KVL定理得： 　　 　　3.2 带隙比较器 　　图3的右半部分是带隙比较器，它的特点是将外部电压信号与由带隙结构产生的基准电压信号相比较。MP7、MP8宽长比相同，构成电流镜，电阻R6和R7的阻值相等，可以抑制电源电压变化对比较器阈值的影响。 　　当A点电位较低的时候，由于Q2发射极面积是Q1发射极面积的8倍，集电极电流IC2大于IC1，因此B点电位为高。随着A点电位的升高，IC2和IC1也随之增加，但由于电阻R1的射极衰减作用，IC2比IC1增加得要慢。当A点电位升高到带隙比较器的翻转阈值时，IC2与IC1恰好相等。随着A点的继续升高，集电极电流IC1将超过IC2，带隙比较器发生翻转，B点电位降低。 　　根据上面的分析，我们可以计算出带隙比较器的翻转阈值，即Q1的基极电位。 　　忽略晶体管基极电流的影响，有： 　　 　　在室温时，VT的温度系数大约为0.087mV/℃，VBE的温度系数大约为-2mV/℃，通过设定合适的R2与R1的比值，可以使Vtr与温度和电源电压无关。 　　 　　3.3 过热保护分析 　　MOS管MP3、MP4、MP5、MP6的宽长比相同且工作在饱和区，PTAT电流IC3镜像到MP6、R4、R5所在支路。 　　当温度没有达到热关断点