一种抵消曲率系数高精度低温漂CMOS带隙基准设计.docVIP

一种抵消曲率系数的高精度低温漂CMOS带隙基准的设计 　　摘要：传统的带隙基准使用PTAT电压对三极管Vbe的温度系数进行线性补偿来得到与温度无关的基准电压，但由于忽略了Vbe的曲率系数r的影响，其输出电压与温度仍存在相关性。本文使用与温度成幂函数关系的电流流过BE结进行曲率补偿，理论上可以完全抵消掉晶体管的曲率系数的影响，得到具有高精度、低温漂的基准电压源。在-40～125℃范围内，其温度系数低至1.06ppm/℃。由于其对工艺变化的不敏感，适合于工程化。该电路参数调整简单，具有很强的模块通用性。 　　关键字：曲率补偿；曲率系数；CMOS带隙基准 　　 　　1引言 　　 　　基准电压源广泛应用于数字/模拟，模拟/数字（A/D、D/A）转换器、电源管理芯片、数据采集系统、电压调节器以及各种测量设备，其精度和性能直接决定了整个系统的精度与性能。带隙电压与其他电压基准相比，具有低温度系数、高电源抑制比、低电源电压、与标准CMOS工艺兼容以及长期稳定性等优点，因而得到广泛应用。但由于传统的带隙基准源中三极管曲率系数并没有被抵消掉，其与温度仍然存在很大的相关性，在某些高精度的应用（如高精度数字模拟转换器（ADC）的设计）中不能满足要求。因此需要从电路设计中对其进行一定的改进。 　　本文采用与温度成幂函数关系的电流流过三极管来补偿掉曲率系数的影响，设计了输出1.114V的高精度、低温漂带隙基准。并通过Hspice软件仿真验证了设计，并论证了其可生产性。 　　 　　2传统方案对照 　　 　　传统的带隙基准电压由与温度成正关系的PTAT 电压（Proportional to Absolute Temperature Voltage）和与温度成互补关系的CTAT 电压（Complementary to Absolute Temperature Voltage） 两部分相加组成。CTAT 电压可以通过双极型三极管BJT 管来获得，而PTAT 电压可以通过偏置在相同电流下的不同面积的BJT 管的基极－发射极电压 之差来实现。传统带隙基准电压源核心电路如图1所示。 　　 Q1、Q2支路上A、B两点反馈到运放AMP的差分输入端，形成负反馈；运放增益足够大时，电路处于深度负反馈，当电路平衡时，节点A、B两点电位相等。 　　流过Q1、Q2、Q3的电流相等，均为I，则有： 　　 　　在同一块芯片上，R2/R1的值可以看作一个常数，因此VR2正比于绝对温度。随着温度的增加线性增加。 　　对于Vbe,其电压的大小可以表示为： 　　 Vbe=Vg0-Vt[（γ-α）1n T+H]… （7） 　　其中Vg0是硅的带隙电压，γ为一个与工艺相关的常数，值大约为3～6[2]，也被称为曲率系数。α由流过BJT的电流与温度的函数关系决定，I=GTα。 在图1所示的传统电路中α的值为1。H为一个常数，由工艺，以及上式中的G等共同决定。 　　由于在250K~400K的温度范围内，lnT 的变化范围很小（约为5.52~6）这一项也可以被看作是常数。在这个粗略的假设下，Vbe是一个CTAT电压，其值随温度的增加而线性减小。因此通过改变R2的值得到合适大小的PTAT电压与Vbe相加，就可以抵消掉其温度系数，得到不随温度的变化改变的基准电压。 　　 　　3本文提出的曲率补偿原理 　　与电路实现 　　 　　在上文的分析中，在认为Vbe为CTAT电压时做了重要假设，即认为lnT一项为常数。实际上因为其与温度存在的相关性，使得得到的带隙基准电压随温度变化较大。温漂系数大约在20~30ppm/℃左右。 　　从上文的分析中还可以看出，假如α与γ具有近似的值，则二者将可以抵消，使得lnT一项所带来的非线性影响被降低乃至消除。本文即使用此方法，通过得到一个与绝对温度成γ次方关系的电流流过BJT管Q3来抵消掉γ的影响，从而得到低温漂的基准电压。如图2所示。 　　图2较图1多了一个电流源向Q3 注入电流。且这个电流的值为：I=GTα。在设计中此电流的值将被调整到远大于通过R2流下的电流，因此流过Q3的电流可以认为就是电流源流下的电流。通过调整α的值就可以抵消掉γ的影响，从而使得Vbe成为线性的CTAT电流。 　　I=GTα电流源的电路实现利用了BJT三极管电流与Vbe的指数关系： 　　 Vbe=Vt1n（Ic/Is） 　　使一个PTAT电流IPTAT流过三极管，得到的Vbe为： 　　Vbeptat=Vt1n（IPTAT/Is） 　　而一个与温度无关的电流流过三极管BE结，得到：Vberef=Vt1n（Iref/Is） 　　 　　可以看到，此电流与IPTAT成n+1次方关系。将此电流镜像，并注入Q3，只要调整n+1的值使其大小值等于忙茫?