国家标准半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法.DOCVIP

PAGE PAGE 3 国家标准《半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法》 （送审稿）编制说明 一、任务来源及计划要求 根据国家标准化管理委员会2012年国家标准制修订计划安排，《半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法》（项目代号T-496）国家标准,由信息产业专用材料质量监督检验中心牵头负责修订，该项国家标准编制周期为2012年至2014年。 二、编制过程（包括编制原则、工作分工、征求意见单位、各阶段工作过程等） 信息产业专用材料质量监督检验中心接到任务后，2012年12月成立了由信息产业专用材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司、国家电子功能与辅助材料质量监督检验中心等单位相关技术人员组成的标准工作组。工作组在国内广泛调研和信息产业专用材料质量监督检验中心长期使用该标准应用的基础上，于2013年5月完成了标准讨论稿。 2013年7月4日，由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会组织，在安徽省合肥市丰乐国际大酒店召开《半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法》（国家标准）讨论会，共有上海光机所、浙江昀丰新能源、浙江晶盛机电有限公司等10个单位11位代表参加了本次会议。会议就由信息产业专用材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司、国家电子功能与辅助材料质量监督检验中心和中国电科第四十六研究所等共同主要起草的《半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法》 2013年8月，标准征求意见稿向河北工业大学材料学院、北京通美晶体技术有限公司、有色标准所、河北工业大学电子信息学院、天津大学、天津半导体技术研究所、天津市环欧半导体材料技术有限、中国电子材料行业协会、有研光电新材料有限责任公司、天津三安光电有限公司等单位函审征求意见，标准工作组根据函审反馈意见，对征求意见稿进行了相应修改和完善，于2013年11月完成了标准预审稿。 2013年11月26日，由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会组织，在南京召开《半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法》（国家标准）预审会，共有色金属标准所、南京大学、有研光电新材料有限责任公司、信息产业专用材料质量监督检验中心、中科院半导体所、中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、中科院上海光机所、北京天科合达蓝光半导体有限公司、天津三安光电有限公司、常州亿晶光电科技有限公司、南京金美镓业有限公司等10余单位17位代表参加了本次会议。会议就由信息产业专用材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司、国家电子功能与辅助材料质量监督检验中心和中国电科第四十六研究所等共同主要起草的《半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法》 三、调研和分析工作情况 随着我国半导体工业的迅速发展，砷化镓作为第二代半导体材料近年来在微电子器件中发挥着越来越重要的作用。碳（C）在GaAs中主要以占据As位的受主形式存在，在液封直拉（LEC）GaAs中，C是最主要的受主杂质，对半绝缘GaAs的半绝缘特性起最关键的作用。碳含量是半绝缘砷化镓单晶的重要技术参数之一，需要进行精确的测量和控制。GB/T 19199-2003半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法国家标准，相关技术内容已不能满足材料生产和应用的需求。标准工作组查阅了国外SEMI M30-0997等国际先进和相关文献，并结合目前该标准使用过程中发现的问题，对GB/T 19199-2003标准进行修订，使之与国际标准接轨。 主要修订点 1）按照现行国家标准编制的要求，此次修订，增加“规范性引用文件”、“术语和定义”、“干扰因素”和“测试环境要求”章节。 2）根据目前我国砷化镓单晶材料生产和使用情况，半绝缘GaAs的电阻率范围较国家标准GB/T 19199-2003制定时，电阻率的起始端107Ω.cm扩展为106Ω.cm，此次修订将电阻率的适用范围由大于107Ω.cm，修订为电阻率的适用范围大于106Ω.cm； 3）在非掺杂半绝缘单晶中，若C浓度太小，不足于补偿所有的施主，则材料会失去半绝缘特性而成n型导电。目前掺碳工艺已在半绝缘砷化镓单晶中生产中广泛应用，并获得理想的掺杂效果，有效地提高了砷化镓单晶的半绝缘特性。此次行动，将原标准名称和范围中的“非掺杂半绝缘砷化镓单晶”修改为“非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶”； 4）在GB/T 19199-2003标准中，规定了薄片样品的样品制备和测量方法，但在标准实施过程中发现，原标准所规定的样品制备方法，制备目标测量样品操作困难，不具备可操作性,如图1所示。考虑到标准的应用的实际情况和可操着性，此次修订去除了0.4mm~2mm厚度试样的解理制样方法； 图1 窄条试样示意图 注