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- 2018-08-19 发布于湖北
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第5章常用半导体元器件
PN结具有单向导电性 正偏:在PN结上加正向电压时,PN结电阻很低,正向电流较大,PN结处于导通状态。 四、晶体管的主要参数 1.电流放大倍数 (1)共发射极直流电流放大倍数 静态时 与 的比值称为共发射极静态电流放大倍数,即直流电流放大倍数 (5-2) (2)共发射极交流电流放大倍数 ( ) 动态时,Δ 与 的比值称为动态电流放大倍数,即交流电流放大倍数 (5-3) 估算时, 。 2.极间反向电流 (1)集电极—基极反向饱和电流 是晶体管的发射极开路时,集电极和基极间的反向漏电流,又叫反向饱和电流,小功率硅管的 小于1μA,锗管的 约10μA。 的测量电路如图5-15a所示。 (2)穿透电流 为基极开路时,由集电区穿过
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