第3节基本电子器件.pptVIP

半导体器件 跨导gm 4 、半导体三极管 （1） 基本结构 N N P B 基极 E 发射极 C 集电极 NPN型 P N P 基极 B 集电极 C 发射极 E PNP型 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 + + + + + + + + + + + _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ + + + + + + + + + + + B E C NPN型三极管 B E C PNP型三极管 三极管符号 N P N C B E P N P C B E T T （2） 电流放大原理 B E C N N P EB RB Ec 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 IE 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IB ，多数扩散到集电结。 IB B E C N N P EB RB Ec IE 从基区扩散来的电子漂移进入集电结而被收集，形成IC。 IC IC IB ICBO 三极管起电流放大作用的条件： 1、内部条件：发射区掺杂浓度大，基区掺杂浓度小，并且做的很薄。 2、外部条件：要使三极管起电流放大，必须使发射结正向偏置，集电结反向偏置。 二者缺一不可 静态(直流）电流放大倍数 静态电流放大倍数，动态电流放大倍数 ? = IC / IB IC = ?IB 动态（交流）电流放大倍数 IB ： IB +? IB IC ： IC +? IC ? = ? IC / ? IB 一般认为： ? = ?= ?，近似为一常数，?值范围：20~100 ? IC = ? ? IB （3） 特性曲线 实验线路(共发射极接法) IC mA ?A V V UCE UBE RB IB USC USB C B E RC 输入回路 输出回路 IB 与UBE的关系曲线 （一）输入特性曲线： IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V 死区电压，硅管0.5V 工作压降： 硅管UBE ? 0.7V 即：IB= f ( UBE ) UCE=常数 （二）输出特性曲线： IC与UCE的关系曲线 IC(mA ) 1 2 3 4 40?A 60?A Q Q′ ? = IC / IB =2 mA/ 40?A=50 ? = ? IC / ? IB =(3-2)mA/(60-40) ?A=50 ? = IC / IB =3 mA/ 60?A=50 即：IC= f ( UCE ) IB=常数 UCE(V) 3 6 9 12 0 输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB , 且 ? IC = ? ? IB 。此区域称为线性放大区。 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。 此区域中 : IB=0 , IC=ICEO , UBE 死区电压,，称为截止区。 输出特性三个区域的特点: 放大区：发射结正向偏置，集电结反向偏置， IC=?IB , 且 ? IC = ? ? IB (2) 饱和区：发射结正向偏置，集电结正向偏置 ， 即：UCE?UBE ， ?IBIC，UCE?0.3V C 和E之间相当于一个开关的闭合状态 在数字电路中起开关作用 在模拟电路中起放大作用 (3) 截止区：发射结反向偏置，集电结反向偏置， UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ?0 C和E之间相当于一个开关的断开状态 在数字电路中，起开关作用 前面是以NPN型三极管为例来讲解三极管的放大原理的，其晶体管中电流实际方向和发射结与集电结的实际极性如图所示。 UCE﹥UBE B E C IE IB IC NPN UCE UBE B E C IE IB IC UCE UBE PNP UCE ﹥ UBE 电源极性反接 判断三极管的类型、种类及电极E、B、C的原则： 处于放大状态的三极管，发射结一定正向偏置， 基极和发射极之间电位差的绝对值（即 ︳UBE ︳） 约为 0.7V （硅管）或0.3V（锗管），第三电极 必为集电极，若该电极电位最高，则为NPN型 三极管；若该电极电位最低，则为PNP型三极管。 若为NPN型三极管，UBE﹥0，发射极电位最低； 若为PNP型三极管，UBE﹤0，发射极电位最高。 例如：测得处于放大状态的三个三