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变电站500kV均压电容器介质损耗超标原因分析 　　摘 要：变电站500kV均压电容器存在一定程度的介损超标问题，对此有必要以试验的方式对均压电容器的介质损耗进行测量，深入分析介质损耗问题，通过多重数据的分析来总结介损超标的原因。 　　关键词：变电站；500kV均压电容器；介质损耗；超标；原因分析 　　DOI：10.16640/j.cnki.37-1222/t.2016.19.126 　　0 前言 　　500kV电力系统属于高压系统，通过介损试验，测试tanδ-U曲线，可以更为精准、客观地反馈出电气设备的现实特征、绝缘程度等，我国相关法律法规已经对均压电容器损耗角做出了明确规定，并明确指出了变电站现场有必要进行介损试验，同时通过测试tanδ-U曲线，从而得出电容器的绝缘水平，进而判断整个电力系统的运行状态。 　　1 电容器介质损耗的测量原理 　　介质损耗因数是对高压线路中电容器绝缘度检测、测量的关键指标，在测算出介损值的同时来得出绝缘体有无进水、受潮、受腐蚀等问题。长期的实践证明，如果实验现场出现了高强电压、磁场等的扰动，则个别均压电容器则可能产生Carton效应，介质损耗试验通常只适合于高压电力系统。 　　介质损耗测量中一般是将绝缘介质视作一个并联电路，由等值电阻R、电容C并联而成，这样通过绝缘介质的电流I也主要由两大部分构成，它们分别是流经电阻与电容的IR、IC，他们分别为有功电流与无功电流。其中介损P同损耗角δ之间存在一定关系： 　　P=UIR =UICtanδ=U2?Ctanδ 　　Tanδ-----介质损耗因数 　　P------介质损耗 　　U-----被测电容器交流电压大小 　　?--------电源角频率 　　具有合格绝缘度的tanδ具有相对的稳定性，不会由于外部电压的上升而对应增加，如果绝缘体中存在某种问题，例如：出现了气体孔隙、间隙等，就意味着tanδ会受到电压变化的影响。 　　2 500kV均压电容器介质损耗实验 　　2.1 介质损耗常规性实验 　　主要围绕500kV变电站的均压电容器开展介质损耗试验，具体选择正接线实验法，具体按照以图1所示来接线。 　　经试验得出：其中5012号与5013号断路器的均压电容器介损值有所变化，超出了正常的实验数据，其中A相两端、B、C相TA侧的介损值远远超出以往每年的实验数据，此电容器采用油纸绝缘材料，所得出的tanδ值已经超出了0.5%，超出了规定数值。 　　2.2 高压介质损耗试验 　　实际的电容器介损实验开展过程中，测量出的介质损耗量超出常规标准的情况屡次发生，经过综合分析得出，出现这种现象主要是由于实验现场周围存在多种干扰性因素，例如：强电场、强电压等，它们将释放出大量的干扰性因子，会对电容器绝缘度的准确判断带来不利影响。 　　对此，相关实验人员于试验现场重新链接处一个介损试验电路，配置了调压器，并进入单频调压模式，将频率设置为50Hz，经过检测得出，介损数值小于0，从而可以得出被试验现场有大量的干扰性因素，例如：强磁场、强电场等，而且实验电压不能有效抵抗这种不良干扰，才导致了介损数值较低，趋向于负值的情况。如果将频率调高10Hz，并对应提高试验电压，所测出的介损数值则显著下降。总的来看，均压电容器是因为受到绝缘介质Garton效应的影响，才出现了高压介损抄表现象。 　　对于此问题，决定开展抗干扰高压介损实验，根据实验现场的具体条件，决定采用标准电容器，电压等级：160kV，具体采用以下接线模式（见图2）。 　　围绕电容器进行介损测试，具体的测算方法为：分别对其进行升压、降压，然后分别对应测出不同电压等级下的介损值，根据试验得出的数据，对应绘制出均压电容器的tanδ-U曲线，通过分析曲线图总结出：试验电压上升时，介损tanδ下降；相反，如果试验电压处于平衡状态，介损值也逐渐趋向稳定。 　　2.3 实验数据与结论分析 　　参考上面的实验过程、得出的数据以及所绘制出的tanδ-U曲线，综合分析能够得出：选择抗干扰技术，频率设定：50+1/-1Hz，电容器电压调高，介损值tanδ慢慢下降，电压值为50kV时，介损值则逐渐趋向于平稳，电压值较高时所测出的介损值控制在0.5%以下，试验发现即便试验电压的升与降，都不会对被检测电容器的电容量带来较大影响，这意味着被测试的电容器绝缘性能佳，这是因为油纸绝缘电容器出现了Garton效应，使得绝缘介质内的带电杂质布局结构发生变化。 　　当电力系统处于常规状态时，高压断路器的两极则在相同电位，长期的运转，由于电容器内部有大量的带电粒子，在纸纤维的阻碍、控制下，这些带电粒子将游动在介质内，通常来说低试验电压状态下，介损值会明显上升。相反，实验电压逐渐上升时，纸纤维则不会产生过大的阻碍