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不能产生均匀的台阶覆盖 通过片架的“自转”和“公转”,在台阶覆盖覆盖方面取得了一些进步; 在超大规模集成电路制造技术中,金属化需要能够填充具有高深宽比的小孔,并且产生等角的台阶覆盖; 蒸发技术在高深宽比的孔填充方面远远不能满足要求,所以导致蒸发在现代IC生产中被淘汰; 蒸发缺点 难以淀积合金材料 由于合金是两种金属材料组成,而两种金属就会有两种不同的熔点,这使得利用蒸发使合金材料按原合金比例淀积到硅片上是不可能的; 溅射 概念: 利用等离子体中的离子,对被溅镀物体(粒子靶)进行轰击,使气相等离子体内具有被溅镀物体的粒子,这些粒子淀积到硅晶片上形成溅射薄膜; 溅射优点: 可在一个面积很大的靶上进行,这样解决了大尺寸硅片淀积铝膜厚度均匀性的问题; 在选定工作条件下,膜厚较容易控制,只要调节时间就可以得到所需要厚度; 溅射淀积薄膜的合金成分要比用蒸发容易控制; 溅射工作原理: 产生离子并导向一个靶; 离子把靶表面上的原子轰击出来; 被轰击出的原子向硅片运动; 在硅片表面这些原子凝成薄膜; 溅射示意图 辉光放电 轰击靶材料的高能粒子是辉光放电产生的; 原理:一根玻璃管中充满了压力为1Torr的氩气,两个电极之间的距离为15cm,电压为1.5kv,在玻璃管中引入一个电子,这个电子在两个电极间的电场中加速,这个自由电子有可能碰撞氩原子,把氩原子中的电子激发出来,激发出来的电子就是轰击源材料的轰击源; 溅射方式: 直流溅射(无法溅射绝缘材料,少用) 射频(RF)溅射(可溅射绝缘材料) 磁控溅射 溅射优势(与蒸发相比) 适合于淀积合金,而且具有保持复杂合金成分的能力; 能获得良好的台阶覆盖(蒸发来自于点源,而溅射来自平面源并且可以从各个角度覆盖硅片表面,通过旋转和加热硅片,台阶覆盖还可以得到进一步提高); 形成的薄膜与硅片的黏附性比蒸发工艺好; 能够淀积难容金属; 铜(Cu)制备 CVD淀积铜 电镀铜(Cu Ecp) Cu淀积,需要在制备铜互连之前,CVD一层薄Cu种子层; CVD方式用于淀积Cu布线种子层;电镀铜工艺用于同互连线制备; 铜电镀(Cu Ecp) ECP是工业上传统的镀膜工艺之一,电镀工艺存在较大污染和难以控制的工艺过程,在半导体工艺中一直未得到采用; 直到铜互连技术的被采用; 铜电镀工艺优点: 成本低 工艺简单 无需真空支持 淀积速率易提高 铜电镀工艺 用湿法化学品和电流将靶材上的铜离子转移到硅片表面的过程; 系统构造 电镀液(硫酸铜、硫酸、水) 脉冲直流电流源 铜靶材 硅片 原理: 当电源加在铜靶(阳极)和硅片(阴极)之间时,溶液中产生电流并形成电场; 铜靶(阳极)中的铜发生反应转换成铜离子,并在外加电场作用下,向硅片(阴极)定向移动,到达硅片时,铜离子阴极与阴极处的电子发生反应生成铜原子,并被镀在硅片表面; 铜电镀(ECP)原理示意图 电镀铜缺陷: 填充高深宽比的沟槽不理想!(在沟槽的不同部位,电流密度不均匀;沟槽顶部电流密度高,底部电流密度低) 加上集成电路特征尺寸不断缩小,沟槽深宽比增大,使得沟槽更加难以得到良好的填充。 解决措施: 添加剂法 加入添加剂是改善高深宽比沟槽的填充性能非常关键的因素; 添加剂类型: 加速剂 抑制剂 平坦剂 原理及步骤: 添加剂吸附到铜种子层表面,沟槽内首先进行均匀性填充; 当加速剂A达到临界浓度时,电镀开始从均匀性填充变成由底部向上填充; 抑制剂S大量吸附在沟槽开口处,在和氯离子的共同作用下,通过扩散-淀积的阴极表面形成一层连续抑制电流的单层膜,通过阻碍铜离子扩散来抑制铜的继续沉积; 双大马士革工艺 铜的干法刻蚀中,采用传统方式,不能产生易挥发的副产物,因此不适合用干法刻蚀; 双大马士革工艺原理: 通过层间介质层刻蚀形成孔或槽,确定好线宽和图形间距,然后将铜淀积到刻蚀好图形的表面上,再经过化学机械抛光方式除掉多余的铜; 双大马士革工艺流程(第二层金属) 1、层间介质淀积 PECVD淀积两层SiO2介质,并使用HDPCVD淀积出致密的、没有针孔的刻蚀阻挡层; 2、金属2的线槽刻蚀 利用光刻、刻蚀工艺刻蚀SiO2至刻蚀阻挡层,刻蚀出金属2层线槽的图形; 3、金属层间通孔刻蚀 继续刻蚀掉刻蚀阻挡层和SiO2层,形成金属2与金属1之间的介质隔离通孔图形;完成互联线的线宽和图形的刻蚀; 4、淀积金属阻挡层 在槽和通孔底部及侧壁用离子化的PVD淀积铜扩散阻挡层(钽或氮化钽); 5、淀积铜种子层 用CVD淀积连续的铜种子层,种子层必须是均匀且没有针孔; 6、铜电镀 用电镀法淀积铜,既填充通孔窗口,也填充沟槽; 7、用CMP清除额外的铜 用化学机械抛光方式清除额外的铜; 这一过程的平坦化表面是为了下一道工序做准备; 学习情景三 常州信息职业技术学院 学习情景三:薄膜制备子情景4:
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