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基于GaNHEMTDoherty功率放大器设计 　　摘 要： 设计一款基于GaN HEMT的S波段Doherty功率放大器（DPA）。主放大器是采用GaN HEMT设计的AB类功放，辅助放大器是GaN HEMT 的C类功放。利用ADS对电路进行仿真，单音测试结果表明，DPA工作频率在2.3～2.4 GHz，输入功率为29 dBm时，工作增益不小于14 dB，输出功率大于43 dBm，功率附加效率超过65%。分析了辅助放大器偏置电压对DPA性能的影响，偏置电压变小，DPA的效率和线性度较好。 　　关键词： 功率放大器； GaN HEMT； Doherty功率放大器； AB类功放 　　中图分类号： TN710?34； TN722 文献标识码： A 文章编号： 1004?373X（2017）22?0131?03 　　Abstract： A GaN HEMT based Doherty power amplifier （DPA） working in S?band is designed， whose main amplifier is the class AB amplifier designed with GaN HEMT， and auxiliary amplifier is the class C power amplifier designed with GaN HEMT. The circuit is simulated with ADS. The single tone test results show that， when the DPA works at 2.3～2.4 GHz and the input power is 29 dBm， the gain of DPA is not less than 14 dB， the output power is higher than 43 dBm， and the power added efficiency is higher than 65%. The effect of the auxiliary amplifier′s offset voltage on DPA performance is analyzed. It shows that the lower the offset voltage is， the better the DPA efficiency and linearity become. 　　Keywords： power amplifier； GaN HEMT； Doherty power amplifier； class AB power amplifier 　　0 引 言 　　射?l功率放大器是无线通信系统中非常重要的器件，同时也是发射系统中功率消耗最大的器件，对系统的性能有着至关重要的影响。随着无线通信技术的发展，对于射频功率放大器的研究主要集中在放大器效率和线性度等方面。 　　Doherty功率放大器（DPA）具有线性度好、效率高等优点，成为功放领域国内外研究热点[1?2]。氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）拥有高击穿电压、高功率密度和低寄生参数等优点，非常适合制作高温、高频和大功率器件，适用于新一代微波功率电路[3?4]。如果将氮化镓（GaN）HEMT等高效率、高功率的射频功率管应用于Doherty结构的功率放大器设计中，可望使射频功率放大器性能获得进一步提高。 　　本文设计了一款基于GaN HEMT的S波段Doherty功率放大器的电路，主放大器是GaN HEMT 的AB类功放，辅助放大器是GaN HEMT 的C类功放，并进行了优化处理，增加了微带补偿，改善了功放的效率。在ADS平台上，对单音信号和双音信号进行了仿真测试，同时还分析了辅助放大器的栅极电压对电路性能的影响。 　　1 功率放大器设计 　　待设计的功率放大器主要性能指标要求如表1所示。 　　表1 功率放大器性能指标 　　根据设计要求，本文采用Doherty功放（DPA）结构进行设计。DPA 功放主要由功分器、载波功放（主放大器）和峰值功放（辅放大器）、[λ4]阻抗变换线以及信号合成部分组成，原理框图如图1所示。依据设计指标，本文拟采用CREE公司提供的型号为CGH40010的GaN HEMT功率管设计载波功放和峰值功放；功分器采用Wilkinson功率分配器；同时为改善功率放大器的效率，加入补偿线进行优化。 　　1.1 基于GaN HEMT的放大器设计 　　本文DPA电路的主放大器采用AB类功放结构进行设计，辅助放大器采用C类功放结构进行设计[5]。通过ADS软件对GaN功放管进行直流扫描，得到AB类静态工作点为VDS=28