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基于支持向量机及遗传算法光刻热点检测 　　摘 要：提出一种基于支持向量机（SVM）及遗传算法（GA）的集成电路版图光刻热点检测方法.首先对版图样本进行离散余弦变换（DCT）以提取样本的频域特征，然后基于这些样本训练SVM分类器以实现对光刻热点的检测.为了提高光刻热点检测的精度及效率，采用遗传算法（GA）对频域特征进行选择，并同时优化SVM参数.实验结果表明，基于SVM及版图频域特征并结合遗传算法进行优化的光刻热点检测方法可以有效提高版图光刻热点的检测精度. 　　关 键 词：可制造性设计；光刻热点；离散余弦变换；支持向量机；遗传算法 　　中图分类号：TP?@391.41 文献标志码：A 文章编号：1008-9497(2011)01-041-05 　　 　　CAO Kui-kang, SHEN Hai-bin??*, YANG Yi-wei 　　(Institute of VLSI Design, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China) 　　Lithographic hotspot detection based on SVM and genetic algorithm. 　　Journal of Zhejiang University(Science Edition), 2011,38(1):041-045 　　Abstract: A lithography hotspot detection method based on support vector machine (SVM) and genetic algorithm (GA) is proposed. Frequency domain features of integrated circuit (IC) layout samples are first extracted with discrete cosine transformation. Then SVM classifiers are trained with the layout samples so that it can be used for hotspot detection. To improve the precision and efficiency of this method, genetic algorithm is used for feature selection and SVM parameter optimization. Experiment results show that the proposed method can improve the precision of lithography hotspot detection effectively. 　　Key Words: design for manufacturability (DFM); lithography hotspot; discrete cosine transform (DCT); support vector machine (SVM); genetic algorithm (GA) 　　 　　当前集成电路生产工艺中，首先根据设计好的版图制作掩模，然后通过光刻技术将掩模上的图形转移到硅片上.由于亚波长光刻技术中光学邻近效应（OPE）的影响，版图最终转移到硅片上时，将可能产生较大的失真.虽然可以使用各种分辨率增强技术（RET），如光学邻近校正（OPC），相移掩模（PSM）等提高光刻的精度，但由于设计不当或RET技术本身的限制等原因，最终硅片上的电路仍可能会出现桥连（bridging）或断线（breaking）等现象，版图中可能导致这些现象的地方被称为光刻热点.光刻热点可能会影响最终电路的性能甚至导致功能失效，因此应在芯片生产之前找出并加以修正.光刻热点检测是可制造性设计（DFM）中的一项重要技术. 　　传统的光刻热点检测方法如基于设计规则［1］的方法，随着工艺的发展其作用正日益削弱.目前基于光刻仿真的方法是确保版图保真性的标准验证方法.但是，基于光刻仿真的方法依赖于具体的工艺参数以及可能涉及的RET的方法和配置，由于涉及技术保密及软件授权等因素，基于光刻仿真的热点检测通常只能在芯片制造厂进行.当设计需要修正时，会引入较长的交互时间，延长产品的开发周期. 　　为了在设计流程中引入光刻热点检测功能，以便较早的考虑可制造性问题，研究者开始将机器学习方法引入光刻热点检测.NAGASE N等［2］首先实验了利用神经网络进行热点检测的方法.WUU J Y等［3］提出了一种基于支持向量机（SVM）并以版图像素灰度为特征的热点检测方法