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TlBr单晶生长机理及其室温核辐射探测器制备研究-微电子学与固体物理学专业论文
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华
华 中 科 技 大 学 博 士 学 位 论 文
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摘 要
溴化铊(TlBr)材料具有禁带宽度大、原子序数高、密度大等特点,近年来成为 了国际上室温探测器材料的研究热点。本文采用共沉淀法制备 TlBr 粉体,采用简化 的电控动态梯度法(Electro Dynamic Gradient, EDG)进行 TlBr 晶体的生长,并制备 了 TlBr 探测器元件。针对 TlBr 探测器晶体制备中的几个关键技术及问题,本文进行 了系统性的研究及理论分析。
本文首先分析了 TlBr 晶体的 EDG 法生长的机制,证明了 EDG 法生长 TlBr 晶体 可用于室温探测器制备。为获取 TlBr 晶体的取向分布信息,结合了电子背散射衍射
(Electron Back Scattering Diffraction, EBSD)与步进式二维 X 射线反射衍射光斑两种 表征方法。以晶体生长动力学相关理论为基础,通过分析 TlBr 晶体的取向分布信息, 掌握了 TlBr 晶体的 EDG 法生长机制。
实验采用 TlNO3 及 HBr 为原料以溶液共沉淀法制备了 TlBr 粉体,研究了 TlNO3 与 HBr 的摩尔比、氢溴酸浓度及粉体烘干温度对 TlBr 粉体性质的影响,对粉体进行 了 XRD、SEM 及热失重表征,利用范特霍夫方程对实验中的现象进行了分析解释, 并建立了在一定合成条件下粉体中 Tl/Br 原子比与反应物摩尔比的线性关系。
为解决 TlBr 晶体生长过程中 Br 组分的挥发问题,本文利用粉体合成工艺研究的 结果合成 Br 过量的粉体进行 TlBr 晶体的 EDG 法生长。通过对晶体的红外透过率、 紫外-可见光透过光谱及 XRD 图谱等表征,研究了粉体中 Br 元素过量比对 TlBr 晶体 质量的影响,结果表明 Br 过量粉体对 Br 组分挥发具有很好补偿作用。
本文对 EDG 法生长 TlBr 晶体的关键工艺参数进行了优化,研究了生长温度梯度、 生长速率对晶体质量的影响,并采用晶体生长动力学相关理论对结果进行了讨论分 析。由于双温区晶体生长炉梯度区的温度梯度在生长过程中保持不变, EDG 法制备 的晶体质量与生长速率的关系与布里其曼法的有所不同。
文章最后测试了 TlBr 探测器元件的电学性能及室温下的能谱响应。通过测量探 测器元件在不同偏压下的能谱响应并与 Hecht 方程拟合,测得了 TlBr 晶体的载流子迁 移率寿命积。分析了 TlBr 晶片厚度、探测器偏压、放大器增益、成型时间及 TlBr 晶
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体质量对探测器性能的影响。探测器对 241Am 59.5keV 及 137Cs 662keV 放射源均表现 出了明显的能谱响应。
关键词: 溴化铊 粉体合成 晶体生长 室温探测器
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Abstract
Thallium Bromide (TlBr) is a material with wide band gap, high atomic number and high density (7.56 g/cm3), making it a popular material for room temperature x ray detector in recent years. In this paper, the co-precipation method was utilized to prepare TlBr powder and electro dynamic gradient method (EDG) is used to grow TlBr crystal. TlBr detector prototype was made from the as grown TlBr crystal. Sys
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