β-FeSi2半导体薄膜制备及其光电性能研究-材料加工工程专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 摘要 变化。当退火温度不高于 500℃时，非晶 β-FeSi2 薄膜样品载流子浓度较高，但 霍尔迁移率比较低；当退火温度提高到 600℃以上时，由于薄膜晶化，载流子浓 度和霍尔迁移率均发生突变，前者大幅降低，后者有所提高。另外，β-FeSi2 薄 膜经过较低温度退火后（不高于 600℃），均形成 p 型半导体；当退火温度提高 到 700℃和 800℃时，β-FeSi2 薄膜导电类型发生改变，均变为 n 型半导体。其中， Fe:Si 比例为 1:5 时，经过 800℃快速退火获得的 β-FeSi2 薄膜样品电学性能最为 优异，是载流子浓度为 4.05×1017 cm-3、迁移率为 21.01 cm2/V?s 的 n 型半导体。 (3)根据工艺不同，获得的 β-FeSi2 薄膜样品的禁带宽度介于 0.72 eV 和 0.85 eV 之间，光学结晶度和载流子浓度是影响 β-FeSi2 半导体材料光电性能的主要因 素。当 Fe:Si 比例为 1:5 时，经过 800℃快速退火获得的 β-FeSi2 薄膜具有最大的 直接带隙，其禁带宽度为 0.85 eV，与硅半导体材料能带匹配最好，更符合薄膜 太阳电池对半导体材料光电性能的要求。 综上所述，本文采用 HiTUS 成功制备出非晶和纳米晶 β-FeSi2 薄膜，且薄膜 样品表面连续、成膜均匀、力学性能优越。当 Fe:Si 比例为 1:5 时，经过 800℃ 快速退火获得的 β-FeSi2 薄膜光电性能最为优异，是载流子浓度为 4.05×1017 cm-3、迁移率为 21.01 cm2/V?s 的 n 型半导体，其禁带宽度为 0.85 eV，属于理想 的薄膜太阳电池材料，本文的研究为其在光伏领域的应用打下基础。 关键词：β-FeSi2；远源等离子体溅射；半导体薄膜材料；光电性能 II Abst Abstract Abstract Because of its direct band gap value ~0.85 eV (at room temperature) and high absorption coefficient ＞ 105 cm-1 (at 1300nm), semiconducting iron disilicide (β-FeSi2) can achieve full absorption of sunlight with a thinner film. Moreover β-FeSi2 meets the basic requirements of the electrical properties of the solar cell materials via doping to control the conductive type of semiconducting. Additionally, its ability to be chemically stable at temperatures of up to 937℃, abundance in nature and non-toxicity, make it a promising semiconductor material for PV application. As a consequence, β-FeSi2 is called “Kankyo (ecologically-friendly) semiconductor”. In this work, a novel method was used to prepare the transparent conductive oxide films: High Target Utilisation Sputtering (HiTUS), of which the advantages are rapidly sputtering deposition, dense and uniform of the film, and good reproducibility. The β-FeSi2 films have been fabricated by HiTUS system, followed by a rapid thermal annealing process. Fe-Si mixed targets were installed with Fe purity of 99.99% (4N) and Si purity of 99.999% (5N). The conclusions are following: 1、The preparation of β-FeSi2 films (1)、It has b